บทความวิจัยพ.ศ. 2562Influence of optimization of control factors on threshold voltage of 18 nm HfO2/TiSi2 NMOS พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญThreshold voltageSILVACOL27 Taguchi method18nm gate length NMOSContol factorsงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงAnalysis the effect of control factors optimization on the threshold voltage of 18 nm PMOS using L27 taguchi method พ.ศ. 2561Control factors optimization on threshold voltage and leakage current in 22 nm NMOS transistor using Taguchi method พ.ศ. 2560Comparative study of symmetrical OTA performance in 180 nm, 130 nm and 90 nm CMOS technology Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2562Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562Study and analysis the effect of variable applied voltage on SCIM performances based on FEA พ.ศ. 2563Optimization of electrical properties in TiO2/WSix-based vertical DG-MOSFET using taguchi-based GRA with ANN พ.ศ. 2561A multiband, low power and low phase noise CMOS voltage-controlled oscillator with NMOS varactor for UWB applications พ.ศ. 2561Insulation properties of TiO2 nanodielectric film for high voltage applications Universiti Teknologi MARA พ.ศ. 2561