Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
บทความวิจัยพ.ศ. 2560

Control factors optimization on threshold voltage and leakage current in 22 nm NMOS transistor using Taguchi method

พ.ศ. 2560

คำสำคัญ

Leakage currentThreshold voltage22 Nm NMOS Tio2/WsixHigh-K/Metal GateTaguchi Method.

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

Analysis the effect of control factors optimization on the threshold voltage of 18 nm PMOS using L27 taguchi method

พ.ศ. 2561

Influence of optimization of control factors on threshold voltage of 18 nm HfO2/TiSi2 NMOS

พ.ศ. 2562

Process parameter optimisation for minimum leakage current in a 22nm p-type MOSFET using Taguchi method

พ.ศ. 2559

Implementation of Taguchi method for lower drain induced barrier lowering in Vertical Double Gate NMOS device

พ.ศ. 2559

Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2561

An Overview to Chip-based Power Transistor and Prognostics Techniques

พ.ศ. 2563

Comparative study of symmetrical OTA performance in 180 nm, 130 nm and 90 nm CMOS technology

Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2562

Effects of downscaling channel dimensions on electrical characteristics of InAs-FinFET transistor

พ.ศ. 2562

Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2562

Impact of Device Parameter Variation on the Electrical Characteristic of N-type Junctionless Nanowire Transistor with High-k Dielectrics

Universiti Teknologi Malaysia พ.ศ. 2563