บทความวิจัยพ.ศ. 2559Process parameter optimisation for minimum leakage current in a 22nm p-type MOSFET using Taguchi method พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญTaguchi methodLeakage current22 nm p-Type MOSFET technologyงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Process parameters optimization of 14nm p-type MOSFET using 2-D analytical modeling พ.ศ. 2559Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558Control factors optimization on threshold voltage and leakage current in 22 nm NMOS transistor using Taguchi method พ.ศ. 2560Characterization & Optimization of 32nm P-Channel MOSFET Device พ.ศ. 2556Analysis the effect of control factors optimization on the threshold voltage of 18 nm PMOS using L27 taguchi method พ.ศ. 2561An explicit drain current model in subthreshold regime for graded channel schottky barrier gate all around MOSFET to improve analog/RF performance พ.ศ. 2561Implementation of Taguchi modeling for higher drive current (ION) in vertical DG-MOSFET device พ.ศ. 2557Statistical modelling of 14nm n-types MOSFET พ.ศ. 2559Low power design of MPPT circuit using power down system in 65nm CMOS process พ.ศ. 2561