บทความวิจัยพ.ศ. 2559Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญAnalysis of varianceSNRSOIDG-MOSFETงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558Process parameter optimisation for minimum leakage current in a 22nm p-type MOSFET using Taguchi method พ.ศ. 2559Comparison of electrical characteristics between Bulk MOSFET and Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET พ.ศ. 2557Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562An explicit drain current model in subthreshold regime for graded channel schottky barrier gate all around MOSFET to improve analog/RF performance พ.ศ. 2561Projected range dependent tunneling current of asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2559Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET พ.ศ. 2563Central electric field and threshold voltage in accumulation mode junctionless cylindrical gate MOSFET พ.ศ. 2561