บทความวิจัยพ.ศ. 2559Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญAnalysis of varianceSNRSOIDG-MOSFETงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558Implementation of Taguchi modeling for higher drive current (ION) in vertical DG-MOSFET device พ.ศ. 2557Optimal design of junctionless double gate vertical MOSFET using hybrid Taguchi-GRA with ANN prediction พ.ศ. 2562Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562