บทความวิจัยพ.ศ. 2558Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญThreshold voltageSurface potentialDouble gate transistorGraphene nanoribbon transistorLength of saturationงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงThreshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558