บทความวิจัยพ.ศ. 2562Graphene field-effect transistor simulation with TCAD on top-gate dielectric influences พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญHigh-k DielectricAmbipolar characteristicsGraphene FET (GFET)Monolayer grapheneTCAD simulationsงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงSimulations of the CNFETS using different high-k gate dielectrics พ.ศ. 2563Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558Performance evaluation of GaN based thin film transistor using TCAD simulation พ.ศ. 2560The Ab-initio study of bulk single layer defected graphene towards graphene device พ.ศ. 2560