บทความวิจัยพ.ศ. 2562Performance analysis of high-k materials as stern layer in ion-sensitive field effect transistor using commercial TCAD พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญTitanium dioxideISFET sensitivityStern layerHigh-k materialsงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงImpact of Gouy-Chapman-Stern model on conventional ISFET sensitivity and stability พ.ศ. 2562Comprehensive identification of sensitive and stable isfet sensing layer high-k gate based on isfet/electrolyte models พ.ศ. 2562Graphene field-effect transistor simulation with TCAD on top-gate dielectric influences พ.ศ. 2562Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET พ.ศ. 2563