บทความวิจัยพ.ศ. 2562Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญTunnelingOxide thicknessWKB approximationAsymmetric DGMOSFETThreshold voltage roll-offงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงThreshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561The impact of tunneling on the subthreshold swing in Sub-20 nm asymmetric double gate MOSFETs พ.ศ. 2559Projected range dependent tunneling current of asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2559Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558