บทความวิจัยพ.ศ. 2562Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญTunnelingOxide thicknessWKB approximationAsymmetric DGMOSFETThreshold voltage roll-offงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงThreshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561The impact of tunneling on the subthreshold swing in Sub-20 nm asymmetric double gate MOSFETs พ.ศ. 2559Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Projected range dependent tunneling current of asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2559Central electric field and threshold voltage in accumulation mode junctionless cylindrical gate MOSFET พ.ศ. 2561Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET พ.ศ. 2563Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Design and analysis of 15 nm MOSFETs Universiti Teknologi MARA พ.ศ. 2559Modelling of 14NM gate length La2O3-based n-type MOSFET พ.ศ. 2559