บทความวิจัยพ.ศ. 2561Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญTunnelingOxide thicknessWKB approximationAsymmetric DGMOSFETThreshold voltage roll-offงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงThreshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562The impact of tunneling on the subthreshold swing in Sub-20 nm asymmetric double gate MOSFETs พ.ศ. 2559Projected range dependent tunneling current of asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2559Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558