บทความวิจัยพ.ศ. 2558Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญAnalysis of varianceSNRSOIDG-MOSFETงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Comparison of electrical characteristics between Bulk MOSFET and Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET พ.ศ. 2557The analysis of leakage current on a 20-kV silicone rubber post-insulator under dry and wet conditions พ.ศ. 2560Process parameter optimisation for minimum leakage current in a 22nm p-type MOSFET using Taguchi method พ.ศ. 2559Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET พ.ศ. 2563Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563An explicit drain current model in subthreshold regime for graded channel schottky barrier gate all around MOSFET to improve analog/RF performance พ.ศ. 2561Physi al Insight of Jun tionless Channel Transistor (JLCT) with Simulation Study of Relaxed SiGe on Insulator (SG-OI) พ.ศ. 2560