บทความวิจัยพ.ศ. 2558Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญAnalysis of varianceSNRSOIDG-MOSFETงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Implementation of Taguchi modeling for higher drive current (ION) in vertical DG-MOSFET device พ.ศ. 2557Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Dual material pile gate approach for low leakage finfet พ.ศ. 2560Process parameters optimization of 14nm p-type MOSFET using 2-D analytical modeling พ.ศ. 2559