บทความวิจัยพ.ศ. 2557Implementation of Taguchi modeling for higher drive current (ION) in vertical DG-MOSFET device พ.ศ. 2557 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญTaguchiAnalysis of varianceMOSFETATHENAATLASงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงPERFORMANCE AND A NEW 2-D ANALYTICAL MODELING OF A DUAL-HALO DUAL-DIELECTRIC TRIPLE-MATERIAL SURROUNDING-GATE-ALL-AROUND (DH-DD-TM-SGAA) MOSFET พ.ศ. 2561Optimization of electrical properties in TiO2/WSix-based vertical DG-MOSFET using taguchi-based GRA with ANN พ.ศ. 2561A modified source impact ionisation MOSFET (MS I-MOS) for Low Power and fast switching digital applications พ.ศ. 2561An extensive study on different underlap architectures for improved analog/RF performance of 32 nm DG-MOSFET พ.ศ. 2562Electrical characterization of commercial power MOSFET under electron radiation Universiti Islam Antarabangsa Malaysia พ.ศ. 2560Design and analysis of 15 nm MOSFETs Universiti Teknologi MARA พ.ศ. 2559Simulation study of single event effects sensitivity on commercial power MOSFET with single heavy ion radiation พ.ศ. 2562Carrier shifting algorithms for the mitigation of circulating current in diode clamped MLI fed induction motor drive พ.ศ. 2560Comparison of electrical characteristics between Bulk MOSFET and Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET พ.ศ. 2557Process parameter optimisation for minimum leakage current in a 22nm p-type MOSFET using Taguchi method พ.ศ. 2559