บทความวิจัยพ.ศ. 2559Impact of different dose, energy and tilt angle in Source/Drain implantation for vertical double gate PMOS device พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญANOVAThreshold voltage2k-Factorialงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET พ.ศ. 2563Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Impact of Strain on Fully Depleted Strained Gate Stack Double Gate MOSFET: A Simulation Study พ.ศ. 2558Implementation of Taguchi method for lower drain induced barrier lowering in Vertical Double Gate NMOS device พ.ศ. 2559Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2561Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET พ.ศ. 2562Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Effect of channel length variation on analog and rf performance of junctionless double gate vertical mosfet พ.ศ. 2562