บทความวิจัยพ.ศ. 2559Impact of different dose, energy and tilt angle in Source/Drain implantation for vertical double gate PMOS device พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญANOVAThreshold voltage2k-Factorialงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงOptimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device พ.ศ. 2559Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558Effect of device variables on surface potential and threshold voltagein DG-GNRFET Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2558Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562