กำลังโหลดข้อมูล…
Search for a command to run...
ในงานวิจัยนี้ ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x ที่เคลือบลงบนแผ่นฐานรองรับที่เป็นกระจกสไลด์โดยวิธีการระเหยสารเคมีด้วยความร้อนในระบบสุญญากาศจากสารตั้งต้นที่เป็นผงผลึกของ CdS และ CdTe ที่มีความบริสุทธิ์สูง 99.999 เปอร์เซนต์ และ 99.999 เปอร์เซนต์ ตามลำดับ ในกรณีที่สัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S ต่ำกว่า 0.2 ของโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางที่ได้จะเป็นแบบคิวบิกหรือแบบซิงค์เบลนด์ แต่เมื่อ x > 0.2 แล้วโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางที่ได้จะเป็นแบบเฮกซะโกนัลหรือแบบเวิร์ทไซท์ จากภาพถ่ายด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM) พบว่าถ้าสัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S เพิ่มขึ้นจะทำให้ขนาดของเกรนลดลง ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x จะมีค่าเปลี่ยนจาก 1.50 อิเล็กตรอนโวลต์ (ของสารกึ่งตัวนำ CdTe) ไปเป็น 2.40 อิเล็กตรอนโวลต์ (ของสารกึ่งตัวนำ CdS) สำหรับค่าความต้านทานแผ่นที่อุณหภูมิห้องของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x ที่ยังไม่ได้แอนนีลจะมีค่าลดลงตามสัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S ที่เพิ่มขึ้นและค่าความต้านทานแผ่นจะลดลงเมื่อมีการฉายแสงจากหลอดฮาโลเจนชนิด ELH นอกจากนี้ยังพบว่าพลังงานกระตุ้นมีหลายค่าซึ่งอาจจะมีสาเหตุมาจากความสูงของกำแพงศักย์ของเกรนและ/หรือสถานะกับดักประจุที่ปรากฏอยู่ที่บริเวณรอยต่อระหว่างเกรน