Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2556

การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSxTe1-x เพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556

ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)

บทคัดย่อ

ในงานวิจัยนี้ ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x ที่เคลือบลงบนแผ่นฐานรองรับที่เป็นกระจกสไลด์โดยวิธีการระเหยสารเคมีด้วยความร้อนในระบบสุญญากาศจากสารตั้งต้นที่เป็นผงผลึกของ CdS และ CdTe ที่มีความบริสุทธิ์สูง 99.999 เปอร์เซนต์ และ 99.999 เปอร์เซนต์ ตามลำดับ ในกรณีที่สัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S ต่ำกว่า 0.2 ของโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางที่ได้จะเป็นแบบคิวบิกหรือแบบซิงค์เบลนด์ แต่เมื่อ x > 0.2 แล้วโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางที่ได้จะเป็นแบบเฮกซะโกนัลหรือแบบเวิร์ทไซท์ จากภาพถ่ายด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM) พบว่าถ้าสัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S เพิ่มขึ้นจะทำให้ขนาดของเกรนลดลง ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x จะมีค่าเปลี่ยนจาก 1.50 อิเล็กตรอนโวลต์ (ของสารกึ่งตัวนำ CdTe) ไปเป็น 2.40 อิเล็กตรอนโวลต์ (ของสารกึ่งตัวนำ CdS) สำหรับค่าความต้านทานแผ่นที่อุณหภูมิห้องของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSxTe1-x ที่ยังไม่ได้แอนนีลจะมีค่าลดลงตามสัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S ที่เพิ่มขึ้นและค่าความต้านทานแผ่นจะลดลงเมื่อมีการฉายแสงจากหลอดฮาโลเจนชนิด ELH นอกจากนี้ยังพบว่าพลังงานกระตุ้นมีหลายค่าซึ่งอาจจะมีสาเหตุมาจากความสูงของกำแพงศักย์ของเกรนและ/หรือสถานะกับดักประจุที่ปรากฏอยู่ที่บริเวณรอยต่อระหว่างเกรน

คำสำคัญ

XRDสมบัติทางไฟฟ้าสมบัติทางแสงฟิล์มบาง CdS<SUB>x</SUB>Te<SUB>1-x</SUB>

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

การศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSxTe1-x(0&le;x&le;1) ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิดเพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559

การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางของรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS/CuO

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557

การเตรียมฟิล์มบาง CdTe โดยวิธีระเหิดในระยะประชิดเพื่อประดิษฐ์เป็นเซลล์แสงอาทิตย์

งามนิตย์ วงษ์เจริญ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2551

การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางของรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557

การประดิษฐ์ขั้วไฟฟ้าด้านหลังชนิดใหม่ที่เหมาะสมกับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง CdS/CdTe

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2554

การเตรียมฟิล์มบาง Cds โดยวิธีอาบสารละลายเคมีภายใต้คลื่นไมโครเวฟเพื่อประดิษฐ์เป็นชั้นหน้าต่างรับแสงของเซลล์แสงอาทิตย์

ณัฐพร พรหมรส คณะวิทยาศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2552

การพัฒนาขั้วไฟฟ้าด้านหลังของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง CdS/CdTe

นายฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2552

การประดิษฐ์ฟิล์มบาง CdO ที่เจือด้วยอะตอม A1 สำหรับเป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงของเซลล์แสงอาทิตย์

งามนิตย์ วงษ์เจริญ คณะวิทยาศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2553

การเตรียมฟิล์มบาง CuO โดยวิธีรีแอ็คทีฟดีซีสปัตเตอริงเพื่อประดิษฐ์เป็นเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS

ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2558

โครงการ การสังเคราะห์และการหาลักษณะเฉพาะเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดสีย้อมของฟิล์มโลหะออกไซด์ด้วยกระบวนการสปาร์ก

อรวรรณ วิรัลห์เวชยันต์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2558