การประดิษฐ์ขั้วไฟฟ้าด้านหลังชนิดใหม่ที่เหมาะสมกับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง CdS/CdTe
ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
บทคัดย่อ
บทคัดย่อ หลายปีที่ผ่านมานี้ การพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีฟิล์มบาง CdTe เป็นองค์ประกอบพื้นฐานในแบบรอยต่อวิวิธพันธุ์ n-CdS/p-CdTe ได้รับความสนใจจากกลุ่มนักวิจัยจำนวนมาก และพบว่าเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดนี้เหมาะสมที่จะเป็นสิ่งประดิษฐ์ที่เปลี่ยนพลังงานแสงอาทิตย์เป็นพลังงานไฟฟ้าที่ดีได้ การเกิดเป็นรอยต่อโอห์มมิกหรือรอยต่อโอห์มมิกเทียมของเซลล์แสงอาทิตย์ของฟิล์มบาง CdTe เป็นหัวข้อที่นักวิจัยให้ความสำคัญกันมาก ความยากลำบากในการสร้างรอต่อโอห์มิกคือการหาโลหะที่มีฟังก์ชันงานค่าสูงๆ นักวิจัยส่วนใหญ่มุ่งที่จะพัฒนารอยโอห์มมิกเทียมโดยการสร้างชั้นบางๆของสารประกอบที่เหมาะสมให้อยู่ระหว่างรอยต่อ CdTe และโลหะที่เป็นขั้วไฟฟ้า ในงานวิจัยนี้ได้ทำการเตรียมและศึกษาสมบัติเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS/CdTeโดยมี SnO2:F เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหน้าและ ZnTe:Cu เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหลัง ฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟต์สามารถเตรียมโดยวิธีการอาบสารละลายเคมี จากนั้นนำไปเคลือบฟิล์มบางแคดเมียมเทลลูไรด์เตรียมโดยวิธีการระเหิดในระยะประชิดในสุญญากาศที่ความดัน 3x10-2 มิลลิบาร์ ใช้เวลาในการเคลือบ 30 นาที โดยระยะสารตั้งต้นและแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 6 มิลลิเมตร และอุณหภูมิของสารตั้งต้นกับแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 550 และ 450 องศาเซลเซียส ตามลำดับ แล้วนำไปจุ่มในสารละลายแคดเมียมคลอไรด์เป็นเวลา 1 ชั่วโมงแล้วนำไปแอนนีลที่อุณหภูมิ 400 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที จากนั้นจะได้สิ่งประดิษฐ์ที่มีโครงสร้างเป็นชั้นฟิล์มบาง SnO2:F/CdS/CdTe นำไปวิเคราะห์โครงสร้างผลึกโดยวิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ และตรวจสอบผิวหน้าผลึกด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางสามารถคำนวณจากการวัดค่าเปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสงด้วยเครื่องยูวี-วิสิเบิลสเปกโตรโฟโตมิเตอร์ ในช่วงความยาวคลื่น 300 -800 นาโนเมตร จากการวัดสมบัติทางไฟฟ้าโดยการวัดกระแส-แรงดันไฟฟ้า ทั้งขณะไม่มีการฉายแสงและภายใต้การฉายแสงด้วยหลอดไฟฟ้าฮาโลเจน ELH พารามิเตอร์ที่สำคัญ อย่างเช่น แฟกเตอร์อุดมคติ, ความสูงกำแพงศักย์และความต้านทานอนุกรมสามารถคำนวณได้จากลักษณะเฉพาะ ของกระแส-แรงดันไฟฟ้าที่อุณหภูมิต่ำในช่วง 20-300 เคลวินกลไกการขุดอุโมงค์ทะลุผ่านกำแพงศักย์ช่วยเสริมการรวมตัวของพาหะเป็นกลไกที่โดดเด่นในการนำกระแสของพาหะที่เกิดขึ้นบริเวณรอยต่อ