กำลังโหลดข้อมูล…
Search for a command to run...
ฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซัลไฟด์ (CuHS, CIS) เป็นวัสดุดดูดซับแสงที่เป็นความหวังมากที่สุดตัวหนึ่ง สำหรับประชุกค์ใช้เป็นเซลล์แสงอาทิตย์ประสิทธิทธิภาพสูงและราคาถูก ราชงานนี้นำเสนอการปลูกฟิล์มบาง CulaS, ที่มีความสม่ำเสมอบนฐานรองกระจก ด้วยวิธีเคลื่อบสเปรย์ที่ใช้ต้นทุนค่ำ จากสารละละลายคอปเปอร์คลอไรด์ , อินเดียมคลอไรค์ และไทโอยู่เรีย งานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาผลกระทบของ ชนิดของสารตั้งคั่นอิเตียม (1๙C], InCI,), ชนิดของแก็สนำพา (Air, N.), ระขะหน่วงหยุดพ่น, อุณหภูมิของฐานรอง (250-400"C) และความเข้มขั้น ของสารตั้งต้น ที่มีต่อใครงสร้างจุลภาศของฟิล์ม โดยทำการวิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคและคุณสมบัติของฟิล์ม ด้วยเทศนิดการเลียวเบนรังสีเอ็กซ์ (X-ray Dittion; XRD), กล้องจุลทรรศน์อิเล็กครอนแบบแบสแกน (Scamning Electron Microscope; SEM), innunการกระจายพลังงานของรังสีเอ็กซ์ (Energy Dispersive X-my; EDX) 1135 สเปกตรัมการส่งผ่านแสงนอกจากนี้ยังได้สร้างรอยต่อแบบเฮเทอไร (heterjunction) TiO,/CuInS, บนฐานรอง กระจก SaO-F เพื่อประเมินคุณสมบัติของความเป็นเซลล์แสงอาทิตย์ เซลล์ขนาดเล็กที่มีประสิทธิทาพ สูงสุดอยู่ที่ 5.4 x 10* % มีค่าแรงต้นไฟฟ้าเปิดวงจร (V 158 mV, ควาหนาแน่นกระแสไฟฟ้าถัดวงจร () 1.11 x 10 mA/cm และฟีลแฟดแฟตอร์ (FF) 0.31 ภายใต้การถายด้วยแสงอาทิตย์จำลอง (AM 1.5; 100 mW/cm)