กำลังโหลดข้อมูล…
Search for a command to run...
การเตรียมฟิล์มบางของบิสมัทเทลลูไรด์ และอนุภาคนาโนคอปเปอร์เทลลูไรด์บนอิเล็กโทรดของทังสเตนออกไซด์ที่เจือด้วยอินเดียม เพื่อประยุกต์ใช้เป็นตัวดูดกลืนแสง ด้วยเงื่อนไขของจำนวน เลเยอร์ของบิสมัทเทลลูไรด์ด้วยวิธีการสกรีน และคอปเปอร์เทลลูไรด์ด้วยวิธีการตกสะสมของไอออนที่ได้จากสารละลาย (SILAR) ซึ่งบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์และคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบของการจุ่มในสารละลายให้ค่ากระแสไฟฟ้าสูงสุดเท่ากับ 1.57 และ 9.22 mA/cm2 ตามลำดับ จากนั้นทำการเคลือบ 2 ชั้นระหว่างบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์ (ชั้นล่าง) และเคลือบด้วย คอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบ (ชั้นบน) สามารถให้ค่ากระแสไฟฟ้าเท่ากับ 4.3 mA/cm2 เมื่อคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบ (ชั้นล่าง) และเคลือบด้วยบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์ (ชั้นบน) ให้ค่ากระแสไฟฟ้าเพิ่มขึ้นเป็น 8.84 mA/cm2 นอกจากนี้ยังได้ทำการเปรียบเทียบผลการให้กระแสไฟฟ้าด้วยการเจืออินเดียมบนฟิล์มทังสเตนออกไซด์แล้วทำการสังเคราะห์โครงสร้างรูปแบบ 2 ชั้นด้วยคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบและบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 รอบ ซึ่งให้ค่ากระแสไฟฟ้าเท่ากับ 7.52 mA/cm2 และจากการลดลงของกระแสไฟฟ้านี้สามารถบ่งบอกได้ว่าโครงสร้างที่สังเคราะห์มีความสามารถในการกักเก็บประจุได้มากขึ้น ส่งผลให้การคายประจุลดลง จึงทำให้ค่ากระแสลดลงเมื่อพิจารณาเวลาตอบสนองของการเก็บประจุและการคายประจุพบว่ามีค่าเท่ากับ 4.43 และ 1.98 s เมื่อพิจารณาระดับพลังงานในแต่ละเงื่อนไขพบว่าค่าพลังงานของแถบการนำลดลงหลังจากการเจือด้วยอินเดียม ซึ่งสอดคล้องกับค่ากระแสที่ลดลง ดังนั้นสามารถบ่งบอกได้ถึงศักยภาพในการกักเก็บอิเล็กตรอนที่ดี ซึ่งมีความเป็นไปได้ที่จะนำไปประยุกต์ใช้เป็นตัวดูดกลืนแสงที่ดีได้ในอนาคต