รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2561
การหาคุณสมบัติเฉพาะของโครงสร้าง 2 ชั้นของอนุภาคนาโนบิสมัทเทลลูไรด์และคอปเปอร์เทลลูไรด์เพื่อการประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีราคาถูก
อัฐสิษฐ์ ทับทิมแท้ มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ พ.ศ. 2561 ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
บทคัดย่อ
การเตรียมฟิล์มบางของบิสมัทเทลลูไรด์ และอนุภาคนาโนคอปเปอร์เทลลูไรด์บนอิเล็กโทรดของทังสเตนออกไซด์ที่เจือด้วยอินเดียม เพื่อประยุกต์ใช้เป็นตัวดูดกลืนแสง ด้วยเงื่อนไขของจำนวน
เลเยอร์ของบิสมัทเทลลูไรด์ด้วยวิธีการสกรีน และคอปเปอร์เทลลูไรด์ด้วยวิธีการตกสะสมของไอออนที่ได้จากสารละลาย (SILAR) ซึ่งบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์และคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบของการจุ่มในสารละลายให้ค่ากระแสไฟฟ้าสูงสุดเท่ากับ 1.57 และ 9.22 mA/cm2 ตามลำดับ จากนั้นทำการเคลือบ 2 ชั้นระหว่างบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์ (ชั้นล่าง) และเคลือบด้วย
คอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบ (ชั้นบน) สามารถให้ค่ากระแสไฟฟ้าเท่ากับ 4.3 mA/cm2
เมื่อคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบ (ชั้นล่าง) และเคลือบด้วยบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 เลเยอร์
(ชั้นบน) ให้ค่ากระแสไฟฟ้าเพิ่มขึ้นเป็น 8.84 mA/cm2 นอกจากนี้ยังได้ทำการเปรียบเทียบผลการให้กระแสไฟฟ้าด้วยการเจืออินเดียมบนฟิล์มทังสเตนออกไซด์แล้วทำการสังเคราะห์โครงสร้างรูปแบบ 2 ชั้นด้วยคอปเปอร์เทลลูไรด์จำนวน 6 รอบและบิสมัทเทลลูไรด์จำนวน 4 รอบ ซึ่งให้ค่ากระแสไฟฟ้าเท่ากับ 7.52 mA/cm2 และจากการลดลงของกระแสไฟฟ้านี้สามารถบ่งบอกได้ว่าโครงสร้างที่สังเคราะห์มีความสามารถในการกักเก็บประจุได้มากขึ้น ส่งผลให้การคายประจุลดลง จึงทำให้ค่ากระแสลดลงเมื่อพิจารณาเวลาตอบสนองของการเก็บประจุและการคายประจุพบว่ามีค่าเท่ากับ 4.43 และ 1.98 s เมื่อพิจารณาระดับพลังงานในแต่ละเงื่อนไขพบว่าค่าพลังงานของแถบการนำลดลงหลังจากการเจือด้วยอินเดียม ซึ่งสอดคล้องกับค่ากระแสที่ลดลง ดังนั้นสามารถบ่งบอกได้ถึงศักยภาพในการกักเก็บอิเล็กตรอนที่ดี ซึ่งมีความเป็นไปได้ที่จะนำไปประยุกต์ใช้เป็นตัวดูดกลืนแสงที่ดีได้ในอนาคต
คำสำคัญ
Nanoparticlesเซลล์แสงอาทิตย์อนุภาคนาโนSolar cellsSensitizerBismuth telluridecopper tellurideคอปเปอร์เทลลูไรด์บิสมัทเทลลูไรด์สารรับไวแสง
งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง
การเตรียมและวิเคราะห์อินเดียม-ทินออกไซด์โครงสร้างแบบแท่งนาโนโดยการเคลือบมุมต่ำด้วยกระบวนการเคลือบโดยไอเชิงฟิสิกส์สำหรับการประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งใส
ไชยยันต์ โอรส มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2558 การปรับปรุงคุณสมบัติของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่เติมบิสมัทด้วยการเติมสารลดแรงตึงผิวเพื่อประยุกต์ใช้งานทางเซลล์แสงอาทิตย์และและออปโตอิเล็กทรอนิกส์
ศิริรัตน์ ทับสูงเนิน รัตนจันทร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี พ.ศ. 2560 การสังเคราะห์อนุภาคควอนตัมแบบจุดของแคดเมียมอินเดียมเทลลูไรด์เพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์ที่สามารถดูดกลืนในช่วงใกล้อินฟราเรด
อัฐสิษฐ์ ทับทิมแท้ คณะศิลปศาสตร์และวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ พ.ศ. 2557 การวิจัยและพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์ด้วยโครงสร้างนาโน
สุวิทย์ กิระวิทยา มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2558 การเตรียมโลหะออกไซด์โครงสร้างระดับนาโนสำหรับการประยุกต์ใช้เป็นหัววัด
ไชยยันต์ โอรส มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2557 โครงการ การสังเคราะห์และการหาลักษณะเฉพาะเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดสีย้อมของฟิล์มโลหะออกไซด์ด้วยกระบวนการสปาร์ก
อรวรรณ วิรัลห์เวชยันต์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2558 การสังเคราะห์วัสดุผสมนาโนโลหะแทรนซิชันออกไซด์ที่ทำหน้าที่ เป็นตัวเว้นช่วงแสงในเซลล์แสงอาทิตย์โดยเฟลมสเปรย์ไพโรลิซิสและการ ประยุกต์ใช้งาน
สุคนธ์ พานิชพันธ์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2551 การสังเคราะห์อนุภาคเงินรูปร่างสามเหลี่ยมปริซึมในระดับนาโนและการสร้างฟิล์มบาง นาโนโพลีอิเล็กโทรไลท์โดยการใช้เทคนิคการขึ้นรูปแบบชั้นต่อชั้นเพื่อเป็นตัวรับรู้สาหรับไอออนของปรอท
เอกรัฐ เดชศรี สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559 การเตรียมฟิล์มแมงกานีสออกไซด์ผสมอนุภาคนาโนซิลเวอร์ด้วยวิธีหมุนเคลือบเพื่อประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าในตัวเก็บประจุไฟฟ้าความจุสูง
พาวินี กลางท่าไค่ มหาวิทยาลัยขอนแก่น พ.ศ. 2560 การพัฒนาขั้วอิเล็กโทรดแบบโปร่งใสของฟิล์มฉลาดโดยใช้แผ่นนาโนกราฟีนและบรรจุภัณฑ์พลาสติกที่ใช้แล้วสำหรับการใช้งานเป็นวัสดุประหยัดพลังงาน
อาชาไนย บัวศรี มหาวิทยาลัยศิลปากร พ.ศ. 2559