การพัฒนาฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้าซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอินเดียมและแกลเลียมเตรียมด้วยกระบวนการโซล-เจลเพื่อประยุกต์ในงานอิเล็กทรอนิกส์โปร่งใส

บทคัดย่อ

งานวิจัยนี้เป็นการสังเคราะห์ฟิล์มบางอินเดียมและแกลเลียมซิงค์ออกไซด์ที่เจืออินเดียมและ แกลเลียมด้วยวิธีการจุ่มเคลือบด้วยสารละลายโซล-เจล ลงบนฐานรองกระจก โดยใช้ซิงค์อะซิเตตไดไฮ เดรตเป็นสารตั้งต้นส าหรับซิงค์ออกไซด์ และปรับปรุงประสิทธิภาพและสมบัติทางแสงของฟิล์มบาง ซิงค์ออกไซด์โดยการเจือด้วยธาตุอินเดียมและแกลเลียม โดยใช้อินเดียมอะซิเตตและแกลเลียมไนเตรต เป็นสารตั้งต้นส าหรับธาตุอินเดียมและแกลเลียม โดยท าการศึกษาผลกระทบของการเจือ การอบ และ การเผาต่อสมบัติทางโครงสร้างและทางแสงของฟิล์มบางที่เตรียมได้โดยการวัดสมบัติทางโครงสร้าง ผลึกด้วยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์การวัดสมบัติทางพื้นผิวและการประมาณความหนาของฟิล์มจาก ภาพตัดขวางโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) และวัดสมบัติทางแสงโดยเครื่อง UV–Vis spectrophotometer จากการศึกษา ฟิล์มบางที่สังเคราะห์ขึ้นมีความโปร่งใสเฉลี่ยสูงกว่า 90% ผล การวัดด้วยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ และรูปถ่าย SEM บ่งชี้ถึงผลกระทบที่เกิดต่อโครงสร้างผลึก และโครงสร้างพื้นผิว และท าให้ทราบเงื่อนไขตัวแปรส าคัญต่างๆจากการเตรียมต่อสมบัติของฟิล์มที่ เตรียมได้ซึ่งบ่งชี้ว่ามีแนวโน้มที่จะสามารถเตรียมฟิล์มบางบนฐานรองกระจกหรือฐานรองรับที่โค้งงอ ค าส าคัญ : ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ กระบวนการจุ่มเคลือบ การเจือด้วยอินเดียมและแกลเลียม

คำสำคัญ