รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2559
การศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSxTe1-x(0≤x≤1) ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิดเพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์
ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559 ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
บทคัดย่อ
ในงานวิจัยนี้ได้ทำการประดิษฐ์ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CJS,Te, (0 EXS I) เคลื้อบลงบนแผ่น
ฐานรองรับที่เป็นกระจกสไลด์โดขวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระชะประชิดในระบสูญญากาศ
สำหรับฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CaTe จะใช้อุณหภูมิของสารตั้งดันและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับ
เท่ากับ 550 และ 450 องศาเซลเซียสดามลำดับ ส่วนฟิล์มที่มีองค์ประกอบอื่นๆ จะกำหนดให้อุณหภูมิ
ของสารตั้งลั้นและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 700 เเละ 600 องศาเซลเซียส คามลำดับ ในกรณี
สัดส่วนของโมลอะตอมของธาตุ 5 ต่ำกว่า 0.2 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิก อย่างไรก็ตามกรณี
สัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ 5 อยู่ระหว่าง 0.2 ถึง 0.8 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิกและแบบ
เฮกซะ โกนัลอยู่ร่วมกัน ในขณะที่ฟิล์มางของสารกึ่งตัวนำ CaS จะมีใครงสร้างผลึกเป็นแบบเฮกซะ
โกนัลอย่างเดียว จากภาพถ่ายด้วยกล้องอิเล็กตรอนแบบส่องกราค พบว่าเมื่อสัดส่วนโมลอะตอมของธาตุ
S เพิ่มขึ้นจะทำให้ขนาดของเกรมลดดลง ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CAS Te
จะมีค่าเปลี่ยนจาก 1.48 อิเล็กตรอนไวลด์ (กรณีฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CaTe) ไปเป็น 2.25 อิเล็กตรอน
โวลด์ (กรณีเพิ่มบางของสารกึ่งตัวนำ CสS) จากการวัดสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสงชั่วขณะ พบว่าฟิล์มบางที่มี
สัดส่วนผสมของไมลอะคอมของธาธาดู 5 ท่ากับ ๑.2 จะมีความใจสูตประมาณ 60
คำสำคัญ
Optical propertiesElectrical propertiesสมบัติทางไฟฟ้าสมบัติทางแสงCdSxTe1-x Thin filmsclose spaced sublimationฟิล์มบาง CdSxTe1-xวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิด
งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง
การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSxTe1-x เพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์
ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556 การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางของรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS/CuO
ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557 การเตรียมฟิล์มบาง CdTe โดยวิธีระเหิดในระยะประชิดเพื่อประดิษฐ์เป็นเซลล์แสงอาทิตย์
งามนิตย์ วงษ์เจริญ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2551 การพัฒนาขั้วไฟฟ้าด้านหลังของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง CdS/CdTe
นายฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2552 การเตรียมฟิล์มบาง Cds โดยวิธีอาบสารละลายเคมีภายใต้คลื่นไมโครเวฟเพื่อประดิษฐ์เป็นชั้นหน้าต่างรับแสงของเซลล์แสงอาทิตย์
ณัฐพร พรหมรส คณะวิทยาศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2552 การเตรียมฟิล์มบางชั้นบัฟเฟอร์โดยวิธีการเคลือบในอ่างสารเคมีสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง Cu(In,Ga)Se2
ปณิตา ชินเวชกิจวานิชย์ ภาควิชาฟิสิกส์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี พ.ศ. 2552 การประดิษฐ์ขั้วไฟฟ้าด้านหลังชนิดใหม่ที่เหมาะสมกับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง CdS/CdTe
ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2554 การประดิษฐ์และการศึกษาสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางของรอยต่อวิวิธพันธุ์ CdS
ฐิตินัย แก้วแดง สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557 ศึกษาการสร้างฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมเนียมเพื่อใช้เป็นชั้นดูดกลืนแสงสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างเซลล์ซ้อน a-Si:H/a-SiGe:H
รังสรรค์ เมืองเหลือ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2558 อิทธิพลของอุณหภูมิที่อบต่อสมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริกของฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ แบบบิดงอได้เตรียมโดยวิธีอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง
ราชศักดิ์ ศักดานุภาพ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559