การศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSxTe1-x(0≤x≤1) ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิดเพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์

บทคัดย่อ

ในงานวิจัยนี้ได้ทำการประดิษฐ์ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CJS,Te, (0 EXS I) เคลื้อบลงบนแผ่น ฐานรองรับที่เป็นกระจกสไลด์โดขวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระชะประชิดในระบสูญญากาศ สำหรับฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CaTe จะใช้อุณหภูมิของสารตั้งดันและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับ เท่ากับ 550 และ 450 องศาเซลเซียสดามลำดับ ส่วนฟิล์มที่มีองค์ประกอบอื่นๆ จะกำหนดให้อุณหภูมิ ของสารตั้งลั้นและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 700 เเละ 600 องศาเซลเซียส คามลำดับ ในกรณี สัดส่วนของโมลอะตอมของธาตุ 5 ต่ำกว่า 0.2 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิก อย่างไรก็ตามกรณี สัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ 5 อยู่ระหว่าง 0.2 ถึง 0.8 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิกและแบบ เฮกซะ โกนัลอยู่ร่วมกัน ในขณะที่ฟิล์มางของสารกึ่งตัวนำ CaS จะมีใครงสร้างผลึกเป็นแบบเฮกซะ โกนัลอย่างเดียว จากภาพถ่ายด้วยกล้องอิเล็กตรอนแบบส่องกราค พบว่าเมื่อสัดส่วนโมลอะตอมของธาตุ S เพิ่มขึ้นจะทำให้ขนาดของเกรมลดดลง ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CAS Te จะมีค่าเปลี่ยนจาก 1.48 อิเล็กตรอนไวลด์ (กรณีฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CaTe) ไปเป็น 2.25 อิเล็กตรอน โวลด์ (กรณีเพิ่มบางของสารกึ่งตัวนำ CสS) จากการวัดสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสงชั่วขณะ พบว่าฟิล์มบางที่มี สัดส่วนผสมของไมลอะคอมของธาธาดู 5 ท่ากับ ๑.2 จะมีความใจสูตประมาณ 60

คำสำคัญ