การศึกษาเชิงทฤษฎีด้วยฟังก์ชันนัลความหนาแน่นของผลความบกพร่องผลึกใน LiGaO2

บทคัดย่อ

ด้วยสารกึ่งตัวนำที่มีแถบช่องว่างพลังงานกว้างกำลังได้รับความสนใจเพิ่มขึ้นจากนักวิจัยทั่วโลก เนื่องจากมีศักยภาพในการทำให้ทรานซิสเตอร์กำลังสูงมีประสิทธิภาพมากไปอีกขั้น รวมไปถึงทำให้อุปกรณ์นั้นมีความสามารถในการทนต่อแรงดันไฟฟ้า ความถี่และอุณหภูมิได้สูงกว่าวัสดุสารกึ่งตัวนำทั่วๆ ไปอย่างซิลิกอน หรือแกลเลียมอาร์เซไนด์ ซึ่งเป็นส่วนประกอบหลักที่ใช้ในการสร้างไดโอดเปล่งแสงและเลเซอร์สีเขียวและสีน้ำเงิน และยังใช้ในการใช้งานคลื่นความถี่วิทยุบางประเภทอีกด้วย คุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำที่มีแถบช่องว่างพลังงานกว้างยังเหมาะสมกับการใช้งานในอุปกรณ์อื่นๆ อีกมากมาย จึงทำให้สารกึ่งตัวนำที่มีแถบช่องว่างพลังงานกว้างเป็นหนึ่งในตัวเลือกหลักสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ที่ใช้สารกึ่งตัวนำรุ่นต่อไป ด้วยเหตุนี้ผู้วิจัยจึงสนใจศึกษา LiGaO2 ที่มีค่าแถบช่องว่างพลังงานกว้างมากกว่าสารกึ่งตัวนำที่ใช้ในภาคอุตสาหกรรมปัจจุบัน และมีโครงสร้างที่ไม่ซับซ้อน สามารถสังเคราะห์ได้ในปริมาณมาก เพื่อให้งานวิจัยที่ออกมามีความทันสมัยและมีประโยนช์ต่อวงการอุตสาหกรรมไทยในอนาคต ทั้งนี้ประเทศไทยได้รับการขนานนามว่าเป็นศูนย์กลางการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ยานยนต์ และเครื่องจักรที่สำคัญแห่งหนึ่งของเอเชีย จากแหล่งข้อมูลของสำนักงานคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน (บีโอไอ) ระบุว่าชิ้นส่วนและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป็นสินค้าส่งออกประเภทต้นๆ ของประเทศ มีมูลค่ารวมถึง 31 พันล้านดอลลาร์ในปีพ.ศ. 2563 นอกจากนั้น ประเทศไทยยังเป็นฐานการผลิตชิ้นส่วนและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อันดับที่ 13 ของโลกในปัจจุบันอีกด้วย

คำสำคัญ