Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2564

การพัฒนาสุดยอดวัสดุไจแอนต์ไดอิเล็กตริกโดยการปรับแต่งไดโพลไฟฟ้าของจุดบกพร่องเชิงซ้อนและปรับปรุงขอบเกรน: ก้าวสำคัญสู่การใช้งานจริง

ประสิทธิ์ ทองใบ สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.) พ.ศ. 2564

ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)

บทคัดย่อ

ในงานวิจัยนี้ เราได้ศึกษาสมบัติทางไจแอนต์ไดอิเล็กทริกของออกไซด์แบบง่าย เช่น NiO, ZnO, MgO, CoO, Al?O?, Sc?O?, In?O?, Lu?O?, Y?O?, Tb?O?, SnO?, ZrO?, และ TiO? เพื่อปรับปรุงสมบัติทางไจแอนต์ไดอิเล็กทริกให้ดีขึ้นอย่างเป็นระบบ รวมทั้งมีการศึกษาความเป็นไปได้สำหรับการประยุกต์ใช้งานต่างๆ นอกจากนี้ยังได้ศึกษาสมบัติทางไจแอนต์ไดอิเล็กทริกของออกไซด์เชิงซ้อน เช่น วัสดุที่ใช้ CaCu?Ti?O?? และ La???Sr?NiO? อีกด้วย นอกจากนี้ยังได้นำออกไซด์ไดอิเล็กทริกมาใช้เป็นฟิลเลอร์ในพอลิเมอร์เมทริกซ์คอมโพสิตเพื่อสร้างฟิล์มไดอิเล็กทริกที่มีความยืดหยุ่น การประยุกต์ใช้งานของออกไซด์บางชนิดในตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดเซรามิก ตัวเก็บประจุไฟฟ้าพอลิเมอร์แบบยืดหยุ่น เซ็นเซอร์ความชื้น และ อุปกรณ์เปล่งแสงด้วยไฟฟ้ากระแสสลับ (AC-driven EL) กลุ่มวัสดุแรกในการวิจัยนี้เน้นที่ออกไซด์แบบง่ายหลายชนิด โดยศึกษาการแทนที่ด้วยไอออนต่างๆ ความเข้มข้นของการเจือและเงื่อนไขกระบวนการเตรียม เพื่อทำความเข้าใจกลไกของวัสดุเหล่านี้และปรับปรุงพารามิเตอร์ไจแอนต์ไดอิเล็กทริกโดยรวม การศึกษาในงานวิจัยนี้สามารถแบ่งออกเป็น 5 ระบบวัสดุ: (1) ไดวาเลนต์ + เพนตาวาเลนต์: [Ni??/Zn??/Mg??/Co??]/[Nb??/Ta??], (2) ไตรวาเลนต์ + เพนตาวาเลนต์: [In??/Sc??/Al??/Tb??/Ga??]/[Nb??/Ta??], (3) ไอโซวาเลนต์ + เพนตาวาเลนต์: [Sn??/Zr??]/[Nb??/Ta??], (4) ไตรวาเลนต์ที่มีขนาดใหญ่ + เพนตาวาเลนต์: [Y??/Lu??/Tb??]/[Nb??/Ta??/Sb??], และ (5) ระบบเจือไอออนสามชนิด: [Al??]/[Sc??/In??/Ga??]/[Nb??/Ta??] แทนที่ในโครงสร้าง TiO? พบว่าค่าคงที่ไดอิเล็กทริกของวัสดุเหล่านี้เกิน 104 ซึ่งสูงกว่าวัสดุไดอิเล็กทริกที่ใช้งานทั่วไปมาก นอกจากนี้ค่าการสูญเสียทางไดอิเล็กทริกยังต่ำกว่าวัสดุไจแอนต์ไดอิเล็กทริกแบบดั้งเดิมอย่างมาก โดยออกไซด์เหล่านี้แสดงความเสถียรอย่างดีเยี่ยมต่อปัจจัยสิ่งแวดล้อม เช่น อุณหภูมิและความชื้นในช่วงกว้าง รวมถึงปัจจัยการทำงานของอุปกรณ์ เช่น ความถี่และกระแสไฟตรง (DC bias) ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ถึงความสำเร็จของการวิจัยนี้ในการปรับปรุงสมบัติไจแอนต์ไดอิเล็กทริกอย่างเป็นระบบ นอกจากนี้ในการวิจัย ยังได้พัฒนาวิธีการแบบใหม่โดยการเจือไอออน 3 ชนิดในโครงสร้างรูไทล์โดยการออกแบบให้แต่ละไอออนที่เจือมีบทบาทเฉพาะในการเสริมสร้างสมบัติไจแอนต์ไดอิเล็กทริกโดยรวมอย่างมีนัยสำคัญ กลุ่มวัสดุที่สองเน้นที่ออกไซด์ไดอิเล็กทริกเดิม เช่น CaCu?Ti?O?? และ La???Sr?NiO? ได้แสดงวิธีการใหม่ในการปรับปรุงสมบัติไจแอนต์ไดอิเล็กทริกด้วยวิธีการผสมผสานเช่นการแทนที่และการผลิตเซรามิกคอมโพสิตด้วยวิธีการแปรรูปขั้นตอนเดียว เพื่อลดขั้นตอนการสังเคราะห์ แม้ว่าสมบัติไจแอนต์ไดอิเล็กทริกจะไม่สูงเท่ากับในส่วนแรก แต่วิธีการนี้ให้แนวทางใหม่สำหรับงานวิจัยในอนาคตเกี่ยวกับออกไซด์ไจแอนต์ไดอิเล็กทริก สำหรับกลุ่มวัสดุที่สาม เรามุ่งมั่นที่จะพัฒนาวัสดุไดอิเล็กทริกที่มีความยืดหยุ่น เนื่องจากออกไซด์เซรามิกไม่มีคุณสมบัติดังกล่าวนี้ โดยใช้พอลิเมอร์ VPDF เป็นเมทริกซ์และเติมด้วยอนุภาคไฮบริด ส่งผลให้สมบัติไดอิเล็กทริกเพิ่มขึ้นอย่างมาก วัสดุคอมโพสิตพอลิเมอร์ไดอิเล็กทริกยืดหยุ่นถูกสร้างขึ้นเป็นฟิล์มไดอิเล็กทริกที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูงมากเมื่อเทียบกับวัสดุพอลิเมอร์ทั่วไป นอกจากการประยุกต์ใช้งานเป็นตัวเก็บประจุเซรามิก วัสดุไจแอนต์ไดอิเล็กทริกที่พัฒนาในการวิจัยนี้ยังถูกใช้ประยุกต์เป็นตัววัดในเซ็นเซอร์ความชื้นซึ่งแสดงการตอบสนองความชื้นได้อย่างยอดเยี่ยมเหมาะสมสำหรับวัสดุใหม่ในด้านนี้ นอกจากนี้ วัสดุออกไซด์ไจแอนต์ไดอิเล็กทริกยังถูกใช้ในอุปกรณ์ AC-driven EL ได้สำเร็จ การวิจัยนี้ให้แนวทางสำคัญสำหรับการพัฒนาวัสดุออกไซด์ไจแอนต์ไดอิเล็กทริกโดยใช้วิธีการต่างๆ กลไกพื้นฐานที่ชัดเจนยังมีประโยชน์ในการปรับปรุงสมบัติไดอิเล็กทริกสำหรับการประยุกต์ใช้งานเฉพาะ เช่น ตัวเก็บประจุเซรามิก ตัวเก็บประจุแบบยืดหยุ่น เซ็นเซอร์ความชื้นแบบคาปาซิทีฟ และอุปกรณ์ AC-driven EL

คำสำคัญ

Dielectric constantLoss tangentAdvanced characterizationsFirst principal calculationGiant dielectric materialsการคำนวณแบบเฟิส์ตพรินซิเพิลการวิเคราะห์ขั้นสูงค่าคงที่ไดอิเล็กทริกแทนเจนต์ของการสูญเสียวัสดุไจแอนต์ไดอิเล็กทริก

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าและสมบัติทางไดอิเล็กทริกวัสดุออกไซด์ [A1/3B1/3C1/3]Cu3Ti4O12 (A = Li+/Na+, B = Sr2+/Ca2+/Cd2+, C = Yb3+/Tb3+/Bi3+) โดยการเจือด้วยไอออนต่างๆ ในตำแหน่ง Cu และ Ti

ประสิทธิ์ ทองใบ มหาวิทยาลัยขอนแก่น พ.ศ. 2565

การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์

อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2553

การสังเคราะห์และปรับปรุงสมบัติการเปล่งแสงของวัสดุประกอบออกไซด์เชิงซ้อนโครงสร้างสปิเนลซิงค์อลูมิเนต (ZnAl2O4) โดยการเจือไอออนของธาตุในกลุ่มแลนทาไนด์

วณิชยา เมฆประสาท สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559

สมบัติเฟร์โรอิเล็กทริกในวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกออกไซด์

ณัฐพงศ์ วงษ์ดำเนิน มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลสุวรรณภูมิ พ.ศ. 2558

การศึกษาและพัฒนาสารประกอบออกไซด์ ZnO สำหรับการประยุกต์ทางเทอร์โมอิเล็กทริกส์

ธีรนันท์ ศิริตานนท์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี พ.ศ. 2560

การสังเคราะห์โมลิบเดนัมออกไซด์โครงสร้างนาโนโดยกระบวนการไฮโดรเทอร์มอลเพื่อประยุกต์ใช้ในลิเทียมไอออนแบตเตอรี่และเป็นตัวตรวจจับแก๊ส

ธิติพันธุ์ ทองเต็ม มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2556

การสังเคราะห์สารประกอบหลายหน้าที่ของ ZnO-CuO ระดับนาโนด้วยวิธีตกตะกอนร่วม

วิษณุ เพชรภา สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556

การพัฒนาอุปกรณ์เทอร์โมอิเล็กทริกออกไซด์โดยใช้นาโนเทคโนโลยี

อดุลย์ หาญวังม่วง มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลสุวรรณภูมิ พ.ศ. 2559

โครงการสมบัติและการเปลี่ยนวัฏภาคของสารเฟร์โรอิเล็กทริก และสารที่เกี่ยวข้องที่น่าสนใจในปัจจุบัน

กอบวุฒิ รุจิจนากุล มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2559

การคำนวณและการศึกษาโครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ของ ZnO ที่ถูกเจือด้วยอะตอมของไนโตรเจน

มหาวิทยาลัยขอนแก่น พ.ศ. 2560