Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2559

การปรับปรุงคุณสมบัติการตรวจวัดก๊าซของโลหะออกไซด์โครงสร้างระดับนาโนด้วยไอออนพลาสมา

ไชยยันต์ โอรส มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2559

ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)

บทคัดย่อ

ในงานวิจัยนี้ได้ทำการวิจัยเป็น 2 ส่วน โดยในส่วนแรกศึกษาการเตรียมฟิล์มแท่งทินออกไซด์ด้วยเทคนิคการเคลือบมุมต่ำโดยวิธีการเคลือบแบบรีแอคทีพแมกนีตรอนสปัตเตอริงที่มุมการเคลือบ 85? โดยการศึกษาคุณสมบัติทางกายภาพและสมบัติการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทินออกไซด์ที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวด้วยออกซิพลาสมาที่พลังงาน 100, 200 และ 300 Watt พบว่าฟิล์มแท่งทินออกไซด์แสดงโครงสร้างผลึกที่ดีเมื่อผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่พลังงานเพิ่มขึ้นจาก 100 – 300 Watt เนื่องจากการได้รับพลังงานจากกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่มากพอ และยังพบว่าฟิล์มแท่งทินออกไซด์มีลักษณะผิวเป็นโครงสร้างผลึกรูปแท่งขนาดความกว้างประมาณ 0.1 ไมโครเมตร และมีความยาว ประมาณ 4 ไมโครเมตร จากผลการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทินออกไซด์ พบว่าฟิล์มแท่งทินออกไซด์มีคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น และฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ที่ไม่ผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมา ค่าการตอบสนองต่อก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ดีที่สุด โดยมีค่าการตอบสนองประมาณ 8000 ที่อุณหภูมิ 60?C และอัตราการไหลของก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ 5 ppm ในส่วนที่ 2 ได้ทำการทำการเตรียมฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ด้วยเทคนิคการเคลือบมุมต่ำโดยวิธีการเคลือบแบบรีแอคทีพแมกนีตรอนสปัตเตอริงที่มุมการเคลือบ 85? โดยการศึกษาคุณสมบัติทางกายภาพและสมบัติการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวด้วยออกซิพลาสมาที่พลังงาน 100, 150 และ 200 Watt พบว่าฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์แสดงโครงสร้างผลึกที่ดีเมื่อผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่พลังงาน 200 Watt เนื่องจากการได้รับพลังงานจากกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่มากพอ และยังพบว่าฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ มีลักษณะผิวเป็นโครงสร้างผลึกรูปแท่งขนาดความกว้างประมาณ 60 นาโนเมตร และมีความยาว ประมาณ 240 นาโนเมตร และลักษณะผิวหน้าของฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์มีความพรุนมากขึ้น จากผลการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ พบว่าฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์มีคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น และฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ที่ผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่พลังงาน 150 Watt ค่าการตอบสนองต่อก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ดีที่สุด โดยมีค่าการตอบสนองประมาณ 400 ที่อุณหภูมิ 200?C และอัตราการไหลของก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ 5 ppm นอกจากนี้ยังทำการศึกษาคุณสมบัติทางกายภาพและสมบัติการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวด้วยออกซิพลาสมาที่ operate pressure 6.1x10-3, 1.6x10-2 และ 6.1x10-2 mbar พบว่าฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์แสดงโครงสร้างผลึกที่ดีเมื่อผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่ operate pressure 6.1x10-3 mbar เนื่องจากที่ operate pressure ต่ำ ออกซิเจนพลาสมามีพลังงานสูงพอที่จะทำให้ฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์แสดงโครงสร้างผลึกที่ดี จากผลการตรวจวัดก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ของฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ พบว่าฟิล์มแท่งทังสเตนไตรออกไซด์ที่ผ่านกระบวนการออกซิเจนพลาสมาที่ operate pressure 6.1x10-2 mbar ค่าการตอบสนองต่อก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ดีที่สุด โดยมีค่าการตอบสนองประมาณ 40 ที่อุณหภูมิ 300?C และอัตราการไหลของก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ 5 ppm และยังมีการตอบสนองต่อก๊าซไนโตรเจนไดออกไซด์ได้ต่ำถึงระดับ 0.2 ppm

คำสำคัญ

Metal oxideโลหะออกไซด์Gas sensorsion plasmaก๊าซเซ็นเซอร์ไอออนพลาสมา

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

การเตรียมโลหะออกไซด์โครงสร้างระดับนาโนสำหรับการประยุกต์ใช้เป็นหัววัด

ไชยยันต์ โอรส มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2557

การเตรียมฟิล์มบางแกรฟีนออกไซด์โดยวิธีพ่นเคลือบด้วยไฟฟ้าสถิตสำหรับประยุกต์ใช้เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดความชื้น

เบญจพล ตันฮู้ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559

การเตรียมและวิเคราะห์อินเดียม-ทินออกไซด์โครงสร้างแบบแท่งนาโนโดยการเคลือบมุมต่ำด้วยกระบวนการเคลือบโดยไอเชิงฟิสิกส์สำหรับการประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งใส

ไชยยันต์ โอรส มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2558

ผลการเจือร่วมของอินเดียมและอลูมิเนียมที่มีต่อฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้าซิงค์ออกไซด์

ธนภรณ์ โตโสภณ มหาวิทยาลัยศรีนครินทรวิโรฒ พ.ศ. 2553

การสังเคราะห์และหาคุณลักษณะของรีดิวซ์กราฟินออกไซด์และฟิล์มบางผสมของ รีดิวซ์กราฟินกับอนุภาคนาโนและการนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วอิเล็กโทรดสำหรับทำตัวเก็บประจุยิ่งยวด

สุทธินาถ หนูทองแก้ว มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2560

การเตรียมฟิล์มบางแมงกานีสออกไซด์-แกรฟีนออกไซด์โดยวิธีพ่นเคลือบด้วยไฟฟ้าสถิตสำหรับประยุกต์ใช้เป็นอุปกรณ์เก็บประจุไฟฟ้าแบบยิ่งยวด

เบญจพล ตันฮู้ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2560

การสังเคราะห์และลักษณะบ่งชี้ของตัวตรวจจับแกสคอปเปอร์ออกไซด์ และทินไดออกไซด์โครงสร้างนาโน

ศุภกร ภู่เกิด มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2555

การสังเคราะห์และลักษณะบ่งชี้ของตัวตรวจจับแกสคอปเปอร์ออกไซด์และทินไดออกไซด์โครงสร้างนาโน

ศุภกร ภู่เกิด มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2554

การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์

ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์ มหาวิทยาลัยแม่โจ้ พ.ศ. 2554

การเตรียมและปรับปรุงคุณสมบัติของฟิล์มผสมไบโอพอลิเมอร์ที่มีสมบัติเทอร์โมโครมิค

นายกันตภณ เลิศทรัพย์สุรีย์ สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.) พ.ศ. 2562