บทความวิจัยพ.ศ. 2559Composition Investigations of Nearly Lattice-Matched InGaPN Films on GaAs (001) Substrates Grown by MOVPE จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญRaman scatteringHRXRDIII-V NitridesInGaPNlattice mismatchmisfit strainMOVPEงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of AlGaAs buffer layer on defect distribution in cubic GaN grown on GaAs (001) by MOVPE พ.ศ. 2556Characterization of AlInN layer grown on GaN/sapphire substrate by MOCVD พ.ศ. 2556Growth of gallium nitride thin film with the aid of polymethyl methacrylate Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2557A review on the different techniques of GaN heteroepitaxial growth: Current scenario and future outlook Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563In-mole-fraction of InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of GaSb Quantum Dots Grown on (001) GaAs Substrateสมศักดิ์ ปัญญาแก้ว มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2559