บทความวิจัยพ.ศ. 2559In-mole-fraction of InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of GaSb Quantum Dots Grown on (001) GaAs Substrateสมศักดิ์ ปัญญาแก้ว มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญGaAsGaSb Quantum DotsInGaAs Insertion LayersMolecular-beam Epitaxy SystemStranski-Krastanovงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffects of variation of quantum well numbers on gain characteristics of type-I InGaAsp/InP nano-heterostructure พ.ศ. 2560TRANSPORT PROPERTIES OF A GaAs/InGaAs/GaAs QUANTUM WELL:TEMPERATURE, MAGNETIC FIELD AND MANY-BODY EFFECTS พ.ศ. 2563A comparative study on optical characteristics of InGaAsP QW heterostructures of type-I and type-II band alignments พ.ศ. 2561Effect of AlGaAs buffer layer on defect distribution in cubic GaN grown on GaAs (001) by MOVPE พ.ศ. 2556