บทความวิจัยพ.ศ. 2563TRANSPORT PROPERTIES OF A GaAs/InGaAs/GaAs QUANTUM WELL:TEMPERATURE, MAGNETIC FIELD AND MANY-BODY EFFECTS พ.ศ. 2563 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญMagnetoresistanceExchange-correlation effectsMetal–insulator transitionงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงCurrent and conductance modulation at elevated temperature in silicon and InAs-based spin field-effect transistors พ.ศ. 2556An analysis of the electron trajectory in the vicinity of gaas quantum dot พ.ศ. 2557Effects of variation of quantum well numbers on gain characteristics of type-I InGaAsp/InP nano-heterostructure พ.ศ. 2560Physics of strongly-coupled dopant-atoms in nanodevices พ.ศ. 2558Modelling electronic characteristic of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor พ.ศ. 2558