บทความวิจัยพ.ศ. 2556Characterization of AlInN layer grown on GaN/sapphire substrate by MOCVD พ.ศ. 2556 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญGaNAlInN layerMOCVDงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of AlGaAs buffer layer on defect distribution in cubic GaN grown on GaAs (001) by MOVPE พ.ศ. 2556Surface reaction of undoped AlGaN/GaN HEMT based two terminal device in H+ and OH ion-contained aqueous solution Universiti Teknologi Malaysia พ.ศ. 2556Effect of discharge power on the properties of gan thin films on aln-(002) prepared by magnetron sputtering deposition Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563Analytic estimation of two-dimensional electron gas density and current-voltage characteristic in AlGaN/GaN HEMT's พ.ศ. 2561Simulation study of GaN/Al1-xGaxN quantum well (QW) operating in the UV region พ.ศ. 2562Synthesis and characterization of alumina precursors derived from aluminum metal through electrochemical method พ.ศ. 2558Effect of agar-kaolin interaction in gelcasting mixtures on forming of alumina membrane support มหาวิทยาลัยสงขลานครินทร์ พ.ศ. 2561การวิเคราะห์สมบัติเชิงโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำผสมแบบไร้สภาพขั้วทางไฟฟ้าของธาตุหมู่สาม-ไนไตรด์ ที่ปลูกบนวัสดุฐานรองแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดย MOVPEพรรณี แสงแก้ว มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมพระนครเหนือ พ.ศ. 2556Sifat Pengaloian dan Perubahan Mikrostruktur Aloi Ti-10%Mo-10%Cr ke atas Proses Sinter พ.ศ. 2561Composition Investigations of Nearly Lattice-Matched InGaPN Films on GaAs (001) Substrates Grown by MOVPE จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย พ.ศ. 2559