บทความวิจัยพ.ศ. 2556Characterization of AlInN layer grown on GaN/sapphire substrate by MOCVD พ.ศ. 2556 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญGaNAlInN layerMOCVDงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงReduction of dislocation density of aluminium nitride buffer layer grown on sapphire substrate พ.ศ. 2559Growth of gallium nitride thin film with the aid of polymethyl methacrylate Universiti Sains Malaysia พ.ศ. 2557Effect of AlGaAs buffer layer on defect distribution in cubic GaN grown on GaAs (001) by MOVPE พ.ศ. 2556A review on the different techniques of GaN heteroepitaxial growth: Current scenario and future outlook Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563