บทความวิจัยพ.ศ. 2559Reduction of dislocation density of aluminium nitride buffer layer grown on sapphire substrate พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญAnnealingElectron microscopyAluminium nitrideInversion domain boundaryงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of high-temperature annealing heat treatment to microstructure of aluminium nitride on sapphire substrate Universiti Teknologi Malaysia พ.ศ. 2562Characterization of AlInN layer grown on GaN/sapphire substrate by MOCVD พ.ศ. 2556A review on the different techniques of GaN heteroepitaxial growth: Current scenario and future outlook Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563Growth of Aluminium Nitride Thin Film using Pulse-Modulated Rf Magnetron Sputtering Plasma Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563