บทความวิจัยพ.ศ. 2560ผลของความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จและการอบต่อโครงสร้างผลึกของฟิล์มวานาเดียมออกไซด์ที่เตรียมโดยเทคนิครีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงกมล เอี่ยมพนากิจ มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ พ.ศ. 2560 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญcrystal structureAnnealingโครงสร้างผลึกVanadium oxidereactive magnetron sputteringการอบdischarge power densityความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จรีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงวานาเดียมออกไซด์งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงผลของกระแสสปัตเตอริงต่อโครงสร้างของฟิล์มบางวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยรีแอคตีฟดีซีอันบาลานซ์แมกนีตรอนสปัตเตอริงนิรันดร์ วิทิตอนันต์ มหาวิทยาลัยบูรพา พ.ศ. 2560ผลของอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนต่อโครงสร้างของฟิล์มบางวาเนเดียมไนไตรด์ ที่เคลือบด้วยวิธีรีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริงนิรันดร์ วิทิตอนันต์ มหาวิทยาลัยบูรพา พ.ศ. 2559การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริงสุรสิงห์ ไชยคุณ มหาวิทยาลัยบูรพา พ.ศ. 2557ผลของเวลาการเคลือบที่มีต่อโครงสร้างและสมบัติของฟิล์มบางโครเมียมไนโตรด์ที่ถูกสปัตเตอร์ด้วยวิธีรีแอคตีฟดีซีแมกนีตรอนนิรันดร์ วิทิตอนันต์ มหาวิทยาลัยบูรพา พ.ศ. 2561