บทความวิจัยพ.ศ. 2560การตรวจสอบความบกพร่องเชิงโครงสร้างของฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำ InGaAsN โดย กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านด้วยวิธีการสร้างภาพพื้นมืดพรสิริ วนรัฐิกาล มหาวิทยาลัยหัวเฉียวเฉลิมพระเกียรติ พ.ศ. 2560 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญtransmission electron microscopyกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านAntiphase domainsInGaAsN filmsOff-angleฟิล์มอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ไนไตรด์มุมตัดเอียงแอนติเฟสโดเมนงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงการพัฒนาฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้าซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอินเดียมและแกลเลียมเตรียมด้วยกระบวนการโซล-เจลเพื่อประยุกต์ในงานอิเล็กทรอนิกส์โปร่งใสวิษณุ เพชรภา สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559Full textการเตรียมและวิเคราะห์อินเดียม-ทินออกไซด์โครงสร้างแบบแท่งนาโนโดยการเคลือบมุมต่ำด้วยกระบวนการเคลือบโดยไอเชิงฟิสิกส์สำหรับการประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งใสไชยยันต์ โอรส, คมกริช โชคพระสมบัติและอีก 2 มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลรัตนโกสินทร์ พ.ศ. 2558Full text