บทความวิจัย พ.ศ. 2560
การตรวจสอบความบกพร่องเชิงโครงสร้างของฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำ InGaAsN โดย กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านด้วยวิธีการสร้างภาพพื้นมืด ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
คำสำคัญ transmission electron microscopy กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน Antiphase domains InGaAsN films Off-angle ฟิล์มอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ไนไตรด์ มุมตัดเอียง แอนติเฟสโดเมน
งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง การเตรียมและวิเคราะห์อินเดียม-ทินออกไซด์โครงสร้างแบบแท่งนาโนโดยการเคลือบมุมต่ำด้วยกระบวนการเคลือบโดยไอเชิงฟิสิกส์สำหรับการประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งใส ไชยยันต์ โอรส
การศึกษาการผลิตแผงแปรแสงจากฟิล์มบางหลายชั้น สมศักดิ์ แดงติ๊บ
การศึกษาผลของฟิล์มซิลิกอนไดออกไซด์ชั้นล่างต่อผลึกเจอร์เมเนียมที่ปลูก โดยกระบวนการเหนี่ยวนำให้เกิดผลึกด้วยอะลูมิเนียมแบบสลับชั้น สุรศักดิ์ เชียงกา
Composition Investigations of Nearly Lattice-Matched InGaPN Films on GaAs (001) Substrates Grown by MOVPE
การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง สุรสิงห์ ไชยคุณ
การศึกษาสมบัติการป้องกันการกัดกร่อนด้วยวิธีโฟโตแคโทดิก โดยการเคลือบฟิล์มบางวัสดุกึ่งตัวนาซิงค์ออกไซด์บนผิวเหล็กกล้าไร้สนิม ด้วยเทคนิคสเปรย์ไพโรไลสิสแบบนิวเมติกส์ ราชธีร์ เตชไพศาลเจริญกิจ
การพัฒนาเครื่องวัดความหนาฟิล์มบางโปร่งแสงด้วยวิธีการแทรกสอดของแสงขาว ภูมินทร์ จินดาจิธาวัฒน์
การพัฒนาฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้าซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอินเดียมและแกลเลียมเตรียมด้วยกระบวนการโซล-เจลเพื่อประยุกต์ในงานอิเล็กทรอนิกส์โปร่งใส วิษณุ เพชรภา
การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยรีแอคทีฟดีซีอันบาลานซ์แมกนีตรอนสปัตเตอริง นิรันดร์ วิทิตอนันต์
การศึกษาสารเฟอร์โรอิเล็กทริกด้วยกล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราด วรศม กุนทีกาญจน์