วัสดุผสมเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วแบบเซรามิก-เซรามิก สำหรับประยุกต์ใช้งานด้านแอคทัวเอเตอร์ที่อุณหภูมิสูง

บทคัดย่อ

งานวิจัยนี้ได้ดำเนินการเตรียมวัสดุประกอบไร้สารตะกั่วเซรามิก-เซรามิกสำหรับประยุกต์ใช้งานที่อุณหภูมิสูง โดย ได้ทำการเตรียมผง และ เซรามิกเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วในระบบ BNT-BT BT BZT-BSn และ Sr.Nb/O, จากนั้นทำการเตรียมวัสดุประกอบไร้สารตะกั่วเซรามิก-เซรามิกในระบบ BNT-BT/SN และ BT-SN ผสมผงผลึกที่เตรียมไต้เข้าด้วยกันในอัตราส่วน 98/2 95/5 90/10 80/20 70/30 และ 60/40 ด้วยการ บดย่อยและอัดขึ้นรูปเป็นเซรามิกโดยใช้แท่นอัดแกนเดี่ยว โดยเชรามิกที่เตรียมได้ทำการตรวจสอบเฟส โครงสร้างผลึก สมบัติไดอิเล็กทริก สมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริก สัญฐานวิทยา งานวิจัยพบว่า สำหรับการเตรียม เซรามิกไร้สารตะกั่ว สามารถเตรียมได้บริสุทธ์ทุกองค์ประกอบที่ศึกษา เซรามิกในระบบ BZT-yBSกโครงสร้าง ผลึก เปลี่ยนจากโครงสร้างผลึกเททระโกนอลไปเป็นโครงสร้างผลึกออโธรอมบิกและที่สัตส่วนองค์ประกอบ y = 0.04 พบว่ามีการอยู่ร่วมกันของโครงสร้างผลีกเททระโกนอลและออโธรอมบิก ซึ่งส่งผลทำให้สมบัติใดอิเล็กท ริก เฟอร์โรอิเล็กทริกและเพียโซอิเล็กทริกเพิ่มขึ้น เช่น & ~ 11500P,~13.14 pC/cm de~1280 pm/V และ d.s~450 pC/N ดังนั้นจะเห็นได้ว่าเซรามิกระบบไตรภาค BT - ST - YBS สามารถเป็นตัวเลือก นึงในวัสดุเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วที่สามารถใช้ทดแทนวัสดุเพียโซอิเล็กทริกที่มีตะกั่วเป็นองค์ประกอบได้ เซรามิกในระบบ BNT-BT แสดงสมบัติไดอิเล็กทริกที่ขึ้นกับความถี่ในช่วงอุณหภูมิต่ำกว่า 200 "C และ แสดง การเปลี่ยนเฟสที่อุณหภูมิ 275 C งานวิจัยพบว่า เมื่อปริมาณ SN ไม่ได้เข้าไปเกิดสารละลายของแข็งกับเซรา มิก BNT-BT สัญฐานวิทยาจาก SEM แสดงการกระจายตัวของ ทั้งสององค์ประกอบอย่างชัดเจน การเติม SN ส่งผลโดยตรงต่อสมบัติทางไฟฟ้าของวัสดุประกอบอย่างมีนัยสำคัญ อุณหภูมิการเปลี่ยนเฟสลดลง เมื่อเมื่อเจือSN ปริมาณ 20 mcl)5 และวัตถุประกลาบชุมสัมสัมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริกทอบริมาณ 5N เพื่องพื้น เชื้ม

คำสำคัญ