รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2556
ผลของตัวเติมที่มีต่อวัสดุพิโซอิเล็กตริกเซรามิกส์ชนิดไร้สารตะกั่ว Ba(ZrxTi1-x )O3 โดยเตรียมที่อุณหภูมิ การเผาอบผนึกต่ำ
นวัล บินหะยีนิยิ มหาวิทยาลัยนราธิวาสราชนครินทร์ พ.ศ. 2556 ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
บทคัดย่อ
ผลของตัวเติมที่มีต่อวัสดุพิโซอิเล็กตริกเซรามิกส์ชนิดไร้สารตะกั่ว Ba(ZrxTi1-x )O3 โดยเตรีมที่อุณหภูมิการเผาอบผนึกต่ำ
บทคัดย่อ
งานวิจัยนี้ศึกษาการเตรียมผงเซรามิกส์ เม็ดเซรามิก ของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตหรือบีซีที (Ba(ZrxTi1-x)O3, BZT) ด้วยวิธีโซลเจล โดยที่ x คือปริมาณของเซอร์โคเนียมโดยโมล
ด้วยวิธีโซลเจลที่มีความความเป็นเนื้อเดียวกันสูงส่วนการเติมสารเจือลิเทียมออกไซด์ (Li2O) พบว่าสามารถลดอุณหภูมิอบผนึกจาก 1300 องศาเซลเซียส เหลือ 700 องศาเซลเซียส จากการตรวจสอบการเลี้ยวเบนโครงสร้างผลึกพบว่าสารเจือลิเทียมออกไซด์ (Li2O) ไม่ทำให้โครงสร้างของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตหรือบีซีที (Ba(ZrxTi1-x)O3, BZT) เปลี่ยนแปลง จากศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าพบว่าเมื่อเติมสารเจือลิเทียมออกไซด์ (Li2O) ส่งผลให้ค่าคงที่ไดอิเล็กตริกลงลง ค่าพิโซอิเล็กตริกของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตหรือบีซีที (Ba(ZrxTi1-x)O3, BZT) เมื่อเติมสารเจือลิเทียมออกไซด์ (Li2O) ส่งผลให้ค่าคงที่พิโซอิเล็กตริกลดลงและสารเจือลิเทียมออกไซด์ (Li2O) ทำให้อุณหภูมิการเปลี่ยนเฟสจากเฟอร์โรอิเล็กตริกเป็นพาราอิเล็กตริกของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตหรือบีซีที (Ba(ZrxTi1-x)O3, BZT) เปลี่ยนแปลง ดังนั้นจากการศึกษาวัสดุบีซีทีในงานวิจัยนี้ คาดว่าจะมีการประยุกต์ใช้วัสดุบีซีทีในอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์เพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ ในอนาคต
คำสำคัญ
Sol-gel processBarium Zirconate TitanatePiezoelectricitylow-sintering ceramicกระบวนโซลเจลการอบผนึกที่อุณหภูมิต่ำแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตปรากฏการณ์พิโซอิเล็กตริก
งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง
การประดิษฐ์และศึกษาสมบัติของเซรามิก Bi0.5(NaxK1-x)0.5TiO3 ที่เตรียมโดยวิธีปฏิกิริยาเผาไหม้ร่วมกับโซลเจล
ศราวุฒิ เถื่อนถ้ำ มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2558 วัสดุผสมเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วแบบเซรามิก-เซรามิก สำหรับประยุกต์ใช้งานด้านแอคทัวเอเตอร์ที่อุณหภูมิสูง
นราธิป วิทยากร สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2560 การศึกษาอัตราส่วนของ AgNbO3-PbTiO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3 ที่เหมาะสมเพื่อพัฒนาเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทำงานในอุณหภูมิสูง
วรวุฒิ มรรคเจริญ วิทยาลัยนวัตกรรมการจัดการข้อมูล สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557 โครงสร้างเฟส โครงสร้างจุลภาค และสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิก Bi0.5(Na0.74K0.16Li0.10)0.5TiO3-Ba(Zr0.5Ti0.95)O3 ที่เตรียมด้วยเทคนิคการเผาไหม้
ธีระชัย บงการณ์ มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2558 การสร้างสรรค์เคลือบผลึกสาหรับเครื่องปั้นดินเผาเพื่อการประหยัดพลังงาน
นิติ ยงวณิชย์ มหาวิทยาลัยศิลปากร พ.ศ. 2558 การสังเคราะห์โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ที่อุณหภูมิต่ำด้วยวิธีเชิงเคมีแบบใหม่
ขวัญฤทัย วงศาพรม มหาวิทยาลัยมหาสารคาม พ.ศ. 2560 การปรับปรุงความแข็งแรงรอยต่อระหว่างแก้วเชื่อมประสาน-โลหะอินเตอร์คอนเนค-อิเล็กโทรไลต์ของแข็ง ในเซลล์เชื้อเพลิงออกไซด์ของแข็งแบบแผ่น
ณัฐพล เลาห์รอดพันธุ์ มหาวิทยาลัยแม่โจ้ พ.ศ. 2561 การก่อเกิดเฟส และการตรวจวิเคราะห์ผง Gamma-Al2O3 โดยการเผาผง nano-Boehmite ด้วยความร้อน
รุ่งนภา ทิพากรฐิติกุล มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2552 เซรามิกเฟอร์โรอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วที่มีโครงสร้างแบบชั้นเพอร์รอฟสไกด์ดิออน-จาคอบสันสำหรับการประยุกต์ใช้งานที่อุณหภูมิสูง
นราธิป วิทยากร สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559 การเตรียม โครงสร้าง และสมบัติทางกายภาพของเซรามิกเชิงอิเล็กทรอนิก
ธีรนันท์ ศิริตานนท์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี พ.ศ. 2555