บทความวิจัยพ.ศ. 2560ROLES OF GATE-OXIDE THICKNESS REDUCTION IN SCALING BULK AND THIN-BODY TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS พ.ศ. 2560 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญgate-oxide scalinglow-bandgap deviceshort-channel effectSOI structuretunnel field-effect transistor (TFET).งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงImproving bandwidth of flipped voltage follower using gate-body driven technique พ.ศ. 2560Effects of downscaling channel dimensions on electrical characteristics of InAs-FinFET transistor พ.ศ. 2562Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance พ.ศ. 2559On the DIBL reduction effect of short channel carbon nanotube field effect transistors พ.ศ. 2559The effect of Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) on scaled MOSFETS of low power consumptions พ.ศ. 2560