รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2555
การเตรียม โครงสร้าง และสมบัติทางกายภาพของเซรามิกเชิงอิเล็กทรอนิก
ธีรนันท์ ศิริตานนท์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี พ.ศ. 2555 ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
บทคัดย่อ
โครงการวิจัยน้ีศึกษาและพัฒนาเทคนิคการเตรี ยมสารที่มีสมบัติเป็ นเฟร์โรอิเล็กทริ ก
(ferroelectric) คือ Y2NiMnO6ด้วยวิธีการสลายตัวด้วยความร้อน โดยให้ความร้อนแก่สารละลายผสม
ของเกลืออะซิเตตของไอออนของโลหะท้งัสามโดยตรง จากการวิเคราะห์ลกั ษณะดว้ยเทคนิคต่างๆ
สามารถสรุปไดว้า่ สารละลายของสารต้งัตน้ สลายตวัที่อุณหภูมิ600-700o
C ให้เป็ นอนุภาคขนาดนา
โนของโลหะออกไซด์ผสม แต่เมื่อไดร้ับความร้อนที่อุณหภูมิสูงถึง 800
o
C ออกไซด์ผสมดังกล่าวจึง
เกิดปฏิกิริยากนั ต่อจนเกิดเป็นอนุภาคขนาดนาโนของ Y2NiMnO6ซ่ึงอนุภาคเหล่าน้ีจะรวมตัวกนั เป็ น
อนุภาคที่ใหญ่ข้ึนและมีความเป็นผลึกมากข้ึนถา้สารตวัอย่างไดร้ับความร้อนที่อุณหภูมิสูงข้ึนและ/
หรือเป็นเวลาที่นานข้ึน การวิเคราะห์ด้วยเทคนิคการดูดกลืนของรังสีเอ็กซ์ที่ขอบพลังงานพบว่า
สถานะออกซิเดชันของ Mn เปลี่ยนจาก +2 ในสารต้ังต้นเป็น +4 ในผลิตภัณฑ์ในขณะที่สถานะ
ออกซิเดชันของ Ni เป็น +2ไม่มีการเปลี่ยนแปลง เมื่อเตรียมวสัดุเซรามิกจากสารที่เตรียมพบวา่ วสัดุที่
ไดม้ีสมบตัิเหมือนกนั วสัดุที่เตรียมจากสารประกอบที่เตรียมดว้ยวิธีปฏิกิริยาสถานะของแข็ง โดยมี
ค่าคงที่ไดอิเล็กทริกประมาณ 6000-7000 ที่ความถี่ 1 kHz สมบัติไดอิเล็กทริกของสารกลุ่มน้ีมีสาเหตุ
มาจากโครงสร้างและการเรียงตวัอยา่ งเป็นระเบียบของ Ni
2+
และ Mn4+ โดยพลังงานกระตุ้นที่ค านวณ
ไดม้ีค่าใกลเ้คียงกบั พลงังานที่ใชใ้นการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนระหวา่ งไอออนท้งัสอง
คำสำคัญ
สมบัติทางไฟฟ้าไฮโดรเทอร์มอลสมบัติแม่เหล็กวัสดุออกไซด์โครงสร้างเพอรอพสไกต์วัสดุเฟร์โรอิกทริกวัสดุมัลติเฟอร์โรอิก โครงสร้าrsquo
งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง
การสังเคราะห์และการหาลักษณะเฉพาะของตัวนำยวดยิ่ง Y2Ba5Cu7Ox ที่ถูกเจือด้วยเหล็ก
ศุภเดช สุจินพรัหม มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ พ.ศ. 2560 สมบัติเฟอร์โรแมกเนติก ณ อุณหภูมิห้องของสารประกอบเซมิคอนดักเตอร์ทินออกไซด์ที่มีโลหะทรานซิชันเป็นตัวเติมสำหรับเทคโนโลยีสปินทรอนิกส์
ทวีศักดิ์ สุดยอดสุข คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2553 การสังเคราะห์สารเฟอร์ไรท์โครงสร้างนาโนโดยวิธีทางเคมีเพื่อใช้ในทางการแพทย์และอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์
ธิติพันธุ์ ทองเต็ม มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2554 การสังเคราะห์และการอัดแน่นวัสดุผสมเหล็กอะลูมิไนด์เสริมแรงด้วยไทเทเนียมไดบอไรด์และอะลูมิเนียมออกไซด์โดยกระบวนการปฏิกิริยาก้าวหน้าด้วยตัวเองที่อุณหภูมิสูงร่วมกับกระบวนการกระแสไฟฟ้าในการช่วยซินเทอริง
สุธรรม นิยมวาส มหาวิทยาลัยสงขลานครินทร์ พ.ศ. 2556 การศึกษาอิทธิพลของอินเดียมและอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่มีต่อคุณสมบัติของโลหะบัดกรีไร้สารตะกั่วแบบครีม SAC0307-xIn-yZnO สำหรับการประยุกต์ใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์
กรรณชัย กัลยาศิริ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2558 เซรามิกเฟอร์โรอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วที่มีโครงสร้างแบบชั้นเพอร์รอฟสไกด์ดิออน-จาคอบสันสำหรับการประยุกต์ใช้งานที่อุณหภูมิสูง
นราธิป วิทยากร สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559 การลดการกัดกร่อนแบบสุญเสียธาตุผสมในแมงกานีสอะลูมิเนียมบรอนซ์ด้วยกรรมวิธีทางความร้อน
นภฉัตร ธารีลาภ สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.) พ.ศ. 2563 สมบัติเฟร์โรอิเล็กทริกในวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกออกไซด์
ณัฐพงศ์ วงษ์ดำเนิน มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลสุวรรณภูมิ พ.ศ. 2558 สมบัติของเซรามิกจำพวกเฟร์โรอิเล็กทริกที่เตรียมโดยวิธีเกลือหลอมเหลว
ชมพูนุช วรางคณากูล มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2558 สมบัติเทอร์โมอิเล็กทริกและสมบัติแม่เหล็กของ La0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3 ที่สังเคราะห์ด้วยวิธีการสลายตัวทางความร้อนโดยใช้น้ำ
สุปรีดิ์ พินิจสุนทร มหาวิทยาลัยขอนแก่น พ.ศ. 2557