บทความวิจัยพ.ศ. 2562How does technological parameters impact the static current gain of InP-based single heterojunction bipolar transistor? พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญTCADTelecommunicationATLASInP/InGaAsStatic current gainBBT.STDDeckbuildDevEditSHBTSRHงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงInvestigation of the static current gain for InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor พ.ศ. 2562Modelling electronic characteristic of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor พ.ศ. 2558Effects of variation of quantum well numbers on gain characteristics of type-I InGaAsp/InP nano-heterostructure พ.ศ. 2560Analytical approach assisted simulation study of Si, SiGe, and InP based bipolar junction transistors พ.ศ. 2562