บทความวิจัยพ.ศ. 2558Effect of process parameter variation on ft in conventional and junctionless gate-all-around devices พ.ศ. 2558 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญTCADGate-all-around deviceJunctionless GAA deviceNon-quasi static delayUnity gain cut-off frequencyงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of channel length variation on analog and rf performance of junctionless double gate vertical mosfet พ.ศ. 2562Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance พ.ศ. 2559Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Impact of multiple channels on the characteristics of rectangular GAA MOSFET พ.ศ. 2560