Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
บทความวิจัยพ.ศ. 2558

Effect of process parameter variation on ft in conventional and junctionless gate-all-around devices

พ.ศ. 2558

คำสำคัญ

TCADGate-all-around deviceJunctionless GAA deviceNon-quasi static delayUnity gain cut-off frequency

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance

พ.ศ. 2559

Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs

พ.ศ. 2562

Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET

พ.ศ. 2563

Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs

พ.ศ. 2562

Effect of channel length variation on analog and rf performance of junctionless double gate vertical mosfet

พ.ศ. 2562

Analytical current model for dual material double gate junctionless transistor

พ.ศ. 2562

Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET

พ.ศ. 2563

Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device

พ.ศ. 2558

Modelling of 14NM gate length La2O3-based n-type MOSFET

พ.ศ. 2559

Design 4-to-1 Multiplexer Using Universal Gate with Standard Process Technology

พ.ศ. 2556