บทความวิจัยพ.ศ. 2559A soft error study on tri-gate based FinFET and junctionless-FinFET 6T SRAM cell - A comparison พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญLETTCAD simulationHeavyIonJunctionless 6T-SRAMSEU radiationFinFET 6T-SRAMงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of underlap and its soft error performance in 30 nm Junctionless based 6T- SRAM cell พ.ศ. 2558Modeling of MTJ and its validation using nanoscale MRAM bitcell พ.ศ. 2560Dual material pile gate approach for low leakage finfet พ.ศ. 2560Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance พ.ศ. 2559AN EXHAUSTIVE ANALYSIS OF SEU EFFECTS IN THE SRAM MEMORY OF SOFT PROCESSOR พ.ศ. 2561