บทความวิจัยพ.ศ. 2559A soft error study on tri-gate based FinFET and junctionless-FinFET 6T SRAM cell - A comparison พ.ศ. 2559 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญLETTCAD simulationHeavyIonJunctionless 6T-SRAMSEU radiationFinFET 6T-SRAMงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงEffect of underlap and its soft error performance in 30 nm Junctionless based 6T- SRAM cell พ.ศ. 2558Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance พ.ศ. 2559Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562A novel optimization framework for controlling stabilization issue in design principle of FinFET based SRAM พ.ศ. 2562Geometric and process design of ultra-thin junctionless double gate vertical MOSFETs พ.ศ. 2562Analytical current model for dual material double gate junctionless transistor พ.ศ. 2562Impact of interface traps and parasitic capacitance on gate capacitance of In0.53 Ga0.47 As-FinFET for sub 14nm technology node พ.ศ. 2562Effect of channel length variation on analog and rf performance of junctionless double gate vertical mosfet พ.ศ. 2562Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Effect of process parameter variation on ft in conventional and junctionless gate-all-around devices พ.ศ. 2558