บทความวิจัยพ.ศ. 2556Surface reaction of undoped AlGaN/GaN HEMT based two terminal device in H+ and OH ion-contained aqueous solution Universiti Teknologi Malaysia พ.ศ. 2556 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญGallium NitrideLiquid sensorTwo terminal devicesงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงAnalytic estimation of two-dimensional electron gas density and current-voltage characteristic in AlGaN/GaN HEMT's พ.ศ. 2561Numerical simulation and comparative assessment of DG-HEMT device for high-frequency application พ.ศ. 2562Characterization of AlInN layer grown on GaN/sapphire substrate by MOCVD พ.ศ. 2556A review on the different techniques of GaN heteroepitaxial growth: Current scenario and future outlook Universiti Tun Hussein Onn Malaysia พ.ศ. 2563