บทความวิจัยพ.ศ. 2558Comparative analysis of quantum effects in nanoscale multigate mosfets using variational approach พ.ศ. 2558 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญCentroidDrain currentInversion charge densityMultiple gate MOSFETsQuantum effectsงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงNon-planar MOSFET modeling with analytical approach พ.ศ. 2557Analytical quantum drain current model in undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETS พ.ศ. 2560The impact of tunneling on the subthreshold swing in Sub-20 nm asymmetric double gate MOSFETs พ.ศ. 2559Analysis of short channel effects in multiple-gate (N, 0) carbon nanotube FETs พ.ศ. 2562Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-on-insulator vertical double gate mosfet device พ.ศ. 2558