วิธีการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ (ZnO) บนวัสดุรองรับ ที่สามารถควบคุมโครงสร้างทางผลึกของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่ได้ เพื่อยับยั้งการเจริญเติบโตของแบคทีเรีย และฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ฯเลขที่คำขอ 2201001377
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 4 มี.ค. 2565ประกาศโฆษณา 29 พ.ค. 2566สิ้นอายุ 3 มี.ค. 2585IPC C07C 225/00;กลุ่ม 11เลขที่ประกาศ 2201001377A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ ผู้ประดิษฐ์ร่วม: นางกตัญชลี ไม้งาม · นางสาวธมนวรรณ อังกุรทิพากร · นางสิรสา ยอดมงคล · นายกฤษณ์ไกรพ์ สิทธิเสรีประทีป · นายวิยะพล พัฒนะเศรษฐกุล · นายศักย์ศรณ์ ลิ้มวิเชียร วิธีการเตรียมโครงสร้างนาโนของโลหะออกไซด์ ที่ประกอบรวมด้วยชั้นของแท่งนาโนของโลหะออกไซด์บนฟิล์มบางโลหะออกไซด์ในขั้นตอนเดียวเลขที่คำขอ 2101004815
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 13 ส.ค. 2564ประกาศโฆษณา 23 ม.ค. 2566สิ้นอายุ 12 ส.ค. 2584IPC C23C 26/00;กลุ่ม 2เลขที่ประกาศ 2101004815A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ ระบบสำหรับการตรวจวัดแก๊สด้วยเซนเซอร์เชิงแสงที่อาศัยผลของไกด์โหมดเรโซแนนซ์เลขที่คำขอ 2101004521
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 30 ก.ค. 2564ประกาศโฆษณา 11 ต.ค. 2564สิ้นอายุ 29 ก.ค. 2584IPC G01B 11/00;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 2101004521A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กระบวนการจัดเรียงอนุภาคนาโนด้วยแรงตั้งฉากที่มีความถี่จากแหล่งกระจายเสียงแบบลำโพงและอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่คำขอ 2101001850
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 26 มี.ค. 2564ประกาศโฆษณา 26 ธ.ค. 2565สิ้นอายุ 25 มี.ค. 2584IPC B01D 71/70;กลุ่ม 11เลขที่ประกาศ 2101001850A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี ระบบตรวจวัดอนุภาคในอากาศด้วยเทคนิคควอทซ์คริสตัลไมโครบาลานซ์ ร่วมการตรึงอนุภาคด้วยสนามไฟฟ้า และอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่คำขอ 2001005718
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 30 ก.ย. 2563ประกาศโฆษณา 28 มิ.ย. 2564สิ้นอายุ 29 ก.ย. 2583IPC G01N 27/00;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 2001005718A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: มหาวิทยาลัยสงขลานครินทร์ · สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ เซนเซอร์แบบเวฟไกด์โหมดเรโซแนนซ์ (waveguide-mode resonance) สำหรับวัดก๊าซทางแสงที่มีโครงสร้างเกรตติ้ง (grating) แบบแท่งนาโน (nanorod)เลขที่คำขอ 2001004031
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 17 ก.ค. 2563ประกาศโฆษณา 19 ต.ค. 2563สิ้นอายุ 16 ก.ค. 2583IPC G01N 21/17;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 2001004031A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ องค์ประกอบของแผ่นรองรับการขยายสัญญาณรามาน (Raman) ที่ประกอบด้วยฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไนไตรด์ (Zirconium Nitride)เลขที่คำขอ 1901006114
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 27 ก.ย. 2562ประกาศโฆษณา 7 ก.ย. 2563สิ้นอายุ 26 ก.ย. 2582IPC C23C 14/06;กลุ่ม 2เลขที่ประกาศ 1901006114A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ ฐานรองขยายสัญญาณรามานชนิดดูดซับสารตรวจวัดได้ในตัวและกระบวนการสร้างฐานรองขยายสัญญาณรามานดังกล่าวเลขที่คำขอ 1901003276
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 31 พ.ค. 2562ประกาศโฆษณา 30 มี.ค. 2563สิ้นอายุ 30 พ.ค. 2582IPC G01N 21/65;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 1901003276A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กรรมวิธีการตรึงอนุภาคพอลิเมอร์ที่มีรอยพิมพ์ประทับโมเลกุลบนชิปขยายสัญญาณรามานเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารวัตถุระเบิดและสารเสพติดในภาพสนามเลขที่คำขอ 2001006337
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 11 ก.ย. 2561ประกาศโฆษณา 20 พ.ย. 2566สิ้นอายุ 10 ก.ย. 2581IPC C22F 1/00;เลขที่ประกาศ 2001006337A
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: มหาวิทยาลัยนเรศวร กระบวนการปรับสภาพพื้นผิวโลหะที่ใช้เป็นฐานรองรับของพื้นผิวขยายสัญญาณรามานเลขที่คำขอ 1701005533
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 22 ก.ย. 2560ประกาศโฆษณา 5 ก.ค. 2561สิ้นอายุ 21 ก.ย. 2580IPC G01N 21/65;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 177357
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ การจัดเรียงโครงสร้างฟิล์มบางโลหะเงินด้วยวิธีการควบคุมเวลากาซในระบบอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงเลขที่คำขอ 1501005550
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ละทิ้ง
ยื่นคำขอ 15 ก.ย. 2558ประกาศโฆษณา 8 มิ.ย. 2560สิ้นอายุ 14 ก.ย. 2578IPC C23C 14/00,C30B 25/06;กลุ่ม 2เลขที่ประกาศ 163122
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง · สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามานเลขที่คำขอ 1501003964
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 10 ก.ค. 2558ประกาศโฆษณา 11 ส.ค. 2559สิ้นอายุ 9 ก.ค. 2578IPC G01N 21/25;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 155251
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กระบวนการการเพิ่มอายุการใช้งานของแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน ชนิดโลหะเงินเลขที่คำขอ 1501003965
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 10 ก.ค. 2558ประกาศโฆษณา 14 ก.ย. 2559สิ้นอายุ 9 ก.ค. 2578IPC G01N 21/00;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 156127
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กรรมวิธีการสร้างวัสดุกรองแสงแบบไม่ใช้ความร้อนเลขที่คำขอ 1501003793
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 30 มิ.ย. 2558ประกาศโฆษณา 11 ส.ค. 2559สิ้นอายุ 29 มิ.ย. 2578IPC F24J 2/00;กลุ่ม 13เลขที่ประกาศ 155242
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าคุณทหารลาดกระบัง · สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ วิธีการปลูกฟิล์มบางซิงค์ไนไตรด์ด้วยวิธีการควบคุมเวลาแก๊สไวปฏิกิริยาเลขที่คำขอ 1401005909
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 30 ก.ย. 2557ประกาศโฆษณา 14 ก.ย. 2559สิ้นอายุ 29 ก.ย. 2577IPC C23C 16/00;กลุ่ม 2เลขที่ประกาศ 156076
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ