บทความวิจัยพ.ศ. 2562Ga segregation impact on Al0.35Ga0.65As/GaAs SQW energy bandgap พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัย แชร์ บันทึกคำสำคัญGrowth rateKinetic modelEmpirical tight binding methodEnergy bandgapGallium segregationGrowth temperatureงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงการศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าและสมบัติทางแสงของเอ็กซิตอนในโครงสร้างบ่อศักย์ควอนตัม GaInNAs/GaAsกาญจนา ศิวเลิศพร มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2561การเปลี่ยนแปลงเฟสและสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิก Ba(Ti0.95Zr0.05)O3เนติมา สว่างวรรณ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ พ.ศ. 2554Effect of mobility on (I-V) characteristics of gaas MESFET พ.ศ. 2560REDUCING WASTAGE IN ELECTRICITY USAGE THROUGH THE USE OF ADVANCEMENT IN GSM TECHNOLOGY พ.ศ. 2563INDIUM SEGGEGATION IN MBE GROWN GAAS/INGAAS/GAAS QUANTUM WELLS มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี พ.ศ. 2561Impact of multiple channels on the characteristics of rectangular GAA MOSFET พ.ศ. 2560Comparison of DSTATCOM performance for voltage sag alleviation พ.ศ. 2559Effect of AlGaAs buffer layer on defect distribution in cubic GaN grown on GaAs (001) by MOVPE พ.ศ. 2556-81dB PSRR regulated cascode fully MOS bandgap reference for power management in RF energy harvesting systems Universiti Putra Malaysia พ.ศ. 2562Mitigation of voltage sag in distribution line using 6 pulse D-STATCOM พ.ศ. 2559