บทความวิจัยพ.ศ. 2561A modified source impact ionisation MOSFET (MS I-MOS) for Low Power and fast switching digital applications พ.ศ. 2561 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญDIBLShort channel effectsBipolar junction transistor (BJT)Operating voltageAvalancheImpact ionizationModified sourceงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงFabrication and testing of double-pole four-throw switch with n-MOSFETs พ.ศ. 2562RF/analog performances enhancement of short channel GAAJ MOSFET using source/drain extensions and metaheuristic optimization-based approach พ.ศ. 2561Analytical approach assisted simulation study of Si, SiGe, and InP based bipolar junction transistors พ.ศ. 2562Mechanism of bijunction semiconductor device damage induced by heavy particles พ.ศ. 2559