Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
บทความวิจัยพ.ศ. 2561

An explicit drain current model in subthreshold regime for graded channel schottky barrier gate all around MOSFET to improve analog/RF performance

พ.ศ. 2561

คำสำคัญ

High frequencyATLAS-3DGaussian graded channelGraded channelSurrounding gate MOSFET

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

Effect of channel length variation on analog and rf performance of junctionless double gate vertical mosfet

พ.ศ. 2562

Impact of multiple channels on the characteristics of rectangular GAA MOSFET

พ.ศ. 2560

RF/analog performances enhancement of short channel GAAJ MOSFET using source/drain extensions and metaheuristic optimization-based approach

พ.ศ. 2561

Performance analysis of ultrathin junctionless double gate vertical MOSFETs

พ.ศ. 2562

Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device

พ.ศ. 2559

Optimal design of junctionless double gate vertical MOSFET using hybrid Taguchi-GRA with ANN prediction

พ.ศ. 2562

Analytical quantum drain current model in undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETS

พ.ศ. 2560

Modelling of 14NM gate length La2O3-based n-type MOSFET

พ.ศ. 2559

Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2561

Projected range dependent tunneling current of asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2559