บทความวิจัยพ.ศ. 2561An explicit drain current model in subthreshold regime for graded channel schottky barrier gate all around MOSFET to improve analog/RF performance พ.ศ. 2561 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญHigh frequencyATLAS-3DGaussian graded channelGraded channelSurrounding gate MOSFETงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงAnalytical quantum drain current model in undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETS พ.ศ. 2560RF/analog performances enhancement of short channel GAAJ MOSFET using source/drain extensions and metaheuristic optimization-based approach พ.ศ. 2561Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET พ.ศ. 2563Implementation of Taguchi modeling for higher drive current (ION) in vertical DG-MOSFET device พ.ศ. 2557