บทความวิจัยพ.ศ. 2561

INDIUM SEGGEGATION IN MBE GROWN GAAS/INGAAS/GAAS QUANTUM WELLS

มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี พ.ศ. 2561

คำสำคัญ

35III-V semiconductorsIndium segregationInGaAs/GaAsMBEToF-SIMSการแยกตัวของอินเดียมเครื่องไทม์ออฟไฟลท์-แมสสเปกโทรเมตรีไอออนทุติยภูมิเครื่องปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลและธาตุหมู่สารกึ่งตัวนำชนิดธาตุหมู่

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

In-mole-fraction of InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of GaSb Quantum Dots Grown on (001) GaAs Substrate

สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว มหาวิทยาลัยนเรศวร พ.ศ. 2559

การศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าและสมบัติทางแสงของเอ็กซิตอนในโครงสร้างบ่อศักย์ควอนตัม GaInNAs/GaAs

กาญจนา ศิวเลิศพร มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี พ.ศ. 2561

Ga segregation impact on Al0.35Ga0.65As/GaAs SQW energy bandgap

พ.ศ. 2562

การเปลี่ยนแปลงเฟสและสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิก Ba(Ti0.95Zr0.05)O3

เนติมา สว่างวรรณ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ พ.ศ. 2554

An analysis of the electron trajectory in the vicinity of gaas quantum dot

พ.ศ. 2557

Pencirian Dosimeter Pendar Gerlap Terma terhadap Gentian Optik Dop Germanium yang Difabrikasi bagi Pengukuran Dos dalam Pancaran Elektron: Sebuah Kajian Awal

พ.ศ. 2563

Clusters of GaAs prepared by quantum mechanical DFT and the nanowire raman spectra

พ.ศ. 2556

Penghitungan Ab-initio Sifat Struktur, Elektronik dan Optikal Kelompok (CdSe)2