อุปกรณ์ชิบทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างเป็นวงจรสำหรับกระบวนการพีซีอาร์ (PCR thermocyling chip) ที่มีตัวทำความร้อนชนิดฟิล์มบางแบบเมมเบรนลอย และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 103296
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 18 ก.ย. 2567ประกาศโฆษณา 11 ส.ค. 2554สิ้นอายุ 24 ส.ค. 2569IPC H05B 39/00;กลุ่ม 6เลขที่ประกาศ 109944
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กระบวนการผลิตอุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอยเลขที่สิทธิบัตร 71510
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 13 ก.ย. 2562ประกาศโฆษณา 30 ม.ค. 2552สิ้นอายุ 8 ก.พ. 2569IPC G01N 27/00,G01N 27/12,H01L 21/02;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 93201
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ อุปกรณ์ตรวจจับก๊าซแบบฟิล์มบางบนตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย ซึ่งทำจากกระบวนการอิเล็กโทรแฟบริเคชั่นและกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 71509
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 13 ก.ย. 2562ประกาศโฆษณา 2 มี.ค. 2549สิ้นอายุ 7 ส.ค. 2568IPC G01N 27/00,H01L 21/02;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 76200
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ อุปกรณ์เพริสทัลติกไมโครปั๊ม แบบเทอร์โมนิวเมติก (Thermopneumatic Peristaltic Micropump) สำหรับไมโครฟลูอิดิกชิบ (Microfluidic chip) ที่มีตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอย (floating membrane) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 56253
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 27 ก.ค. 2560ประกาศโฆษณา 13 มี.ค. 2552สิ้นอายุ 13 มิ.ย. 2570IPC F04B 43/00,F04C 15/00;กลุ่ม 1เลขที่ประกาศ 94387
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ เซนเซอร์วัดความเร่งซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 45849
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 11 ก.ย. 2558ประกาศโฆษณา 18 พ.ค. 2549สิ้นอายุ 6 ต.ค. 2568IPC G01P 15/125;กลุ่ม 10เลขที่ประกาศ 77498
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ อุปกรณ์ไมโครวาล์วเทอร์โมนิวเมติกสำหรับไมโครฟลูอิดดิกชิบที่มีตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอยและกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 41881
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 22 ต.ค. 2557ประกาศโฆษณา 20 ธ.ค. 2550สิ้นอายุ 8 ก.พ. 2570IPC B01L 3/00,F02M 1/00;กลุ่ม 1เลขที่ประกาศ 87987
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ เซนเซอร์วัดแรงสัมผัสซึ่งทำจากกระบวนการ Electro-Fabrication (E-Fab) และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่า วเลขที่สิทธิบัตร 41235
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 28 ส.ค. 2557ประกาศโฆษณา 21 ธ.ค. 2549สิ้นอายุ 30 ส.ค. 2568IPC H01C 10/00,H01L 27/00;กลุ่ม 6เลขที่ประกาศ 81986
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ อุปกรณ์ก๊าซเซนเซอร์แบบฟิลม์บางที่สร้างโดยกระบวนการ ion-assisted electron beam evaporation และ กระบวนการผลิตอุปกรณ์ดังกล่าวเลขที่สิทธิบัตร 26223
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ชำระค่าธรรมเนียมรายปี ( ปีที่ 20 )
จดทะเบียน 2 ก.ค. 2552ประกาศโฆษณา 23 ก.พ. 2549สิ้นอายุ 9 มิ.ย. 2568IPC F01N,G01N 27/00;กลุ่ม 1เลขที่ประกาศ 75910
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กรรมวิธีการเตรียมวัสดุผสมกราฟีน-พอลิอะนิลีนนาโนไฟเบอร์เพื่อการประยุกต์ใช้ เป็นขั้วอิเล็กโทรดของตัวเก็บประจุยิ่งยวดเลขที่คำขอ 1601004512
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 5 ส.ค. 2559ประกาศโฆษณา 22 มิ.ย. 2560สิ้นอายุ 4 ส.ค. 2579IPC C25D 13/12;กลุ่ม 2เลขที่ประกาศ 163769
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ วิธีการเตรียมวัสดุผสมกราฟิน-พอลิเมอร์ด้วยกระบวนการทางเคมีไฟฟ้าเลขที่คำขอ 1301003055
สิทธิบัตรการประดิษฐ์ผู้ประดิษฐ์ยื่นขอให้ตรวจสอบการประดิษฐ์
ยื่นคำขอ 11 พ.ย. 2553ประกาศโฆษณา 15 มิ.ย. 2559สิ้นอายุ 10 พ.ย. 2573IPC C01B 31/00;กลุ่ม 11เลขที่ประกาศ 153035
ผู้ขอรับสิทธิบัตร: สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ