รายงานฉบับสมบูรณ์Full textพ.ศ. 2555อิทธิพลของเงื่อนไขในการเตรียมฟิล์มบางของ Ca Cu3Ti4 O12 และผลของธาตุเติมแต่งต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการประยุกต์ใช้เป็นหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่มวรวุฒิ มรรคเจริญ, กมลวรรณ บุญพิลา สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2555ดาวน์โหลดฉบับเต็มที่ NRIIS ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกDOI: 10.14457/kmitl.res.2012.63งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงวิธีการ และเงื่อนไขในการเตรียมเซรามิกส์ CaCu3Ti4O12 ต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการนำไปใช้เตรียมฟิล์มบางสำหรับผลิตหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่มวรวุฒิ มรรคเจริญ, กมลวรรณ บุญพิลา สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556Full textDOIผลของความเค้นเชิงกลและความบกพร่องเชิงโครงสร้าง ต่อสมบัติอิสเทอรีซิสของฟิล์มแม่เหล็กเฟร์โรที่ความหนาระดับนาโน : การจำลองปัจจัยสำคัญเพื่อเพิ่มความจุฮาร์ดดิสก์พอลเตอร์, ยงยุทธ เหล่าศิริถาวรและอีก 2 มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2551Full textผลของวิธีการเตรียมฟิล์มต่อลักษณะโครงสร้างในสถานะของแข็งและสมบัติของฟิล์มเคิร์ดแลนธรรมนูญ โปรดปราน, สุทธวัฒน์ เบญจกุล คณะอุตสาหกรรมเกษตร มหาวิทยาลัยสงขลานครินทร์ วิทยาเขตหาดใหญ่ พ.ศ. 2555Full textอิทธิพลของกระบวนการดีซีแมกนีตรอนสปัสเตอริงที่มีต่อสมบัติเชิงโครงสร้างและ สมบัติแม่เหล็กของฟิล์มบาง CoFeBราชศักดิ์ ศักดานุภาพ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556Full textDOI