รายงานฉบับสมบูรณ์พ.ศ. 2557

การศึกษาปรากฎการณ์สวิทซ์ความต้านทานของโครงสร้าง Ti/ZnO/Mo สำหรับหน่วยความจำเข้าถึงแบบสุ่มชนิดความต้านทาน

ราชศักดิ์ ศักดานุภาพ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2557

ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

การประดิษฐ์โครงสร้างของโลหะ/ลวดโลหะออกไซด์นาโน/โลหะ สำหรับอุปกรณ์หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบความต้านทาน

ราชศักดิ์ ศักดานุภาพ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2555

Defect-oriented test and design-for-testability technique for resistive random access memory

พ.ศ. 2558

Influence of Pre-strain on the Strain Rate Response of Ni-Ti Shape Memory Alloy

Universiti Teknologi MARA พ.ศ. 2562

Design and analysis of static random access memory by schmitt trigger topology for low voltage applications

พ.ศ. 2559

การศึกษาอิทธิพลของตัวแปรในการแล่นประสานด้วยความต้านทานที่มีต่อความแข็งแรงเฉือนและโครงสร้างจุลภาคของรอยต่อสำหรับการพัฒนา Laminated micro-channel arrays devices

กรรณชัย กัลยาศิริ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2560

เงื่อนไขการเชื่อมแบบ TIG ที่เหมาะสม โดยใช้วิธีพื้นผิวสะท้อน

อนุสิทธิ์ อํ่าไพบูลย์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลอีสาน พ.ศ. 2555

อิทธิพลของเงื่อนไขในการเตรียมฟิล์มบางของ Ca Cu3Ti4 O12 และผลของธาตุเติมแต่งต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการประยุกต์ใช้เป็นหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่ม

วรวุฒิ มรรคเจริญ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2555

วงจรปรับสภาพสัญญาณโหมดกระแสสำหรับเซนเซอร์ความต้านทานเชิงเดี่ยว

ณรงค์ ธรรมภูติ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ พ.ศ. 2560

การวิเคราะห์ค่าตัวแปรที่มีผลต่อค่าความผันแปรของความต้านทาน ในกระบวนการขัดหัวอ่านฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์

ปภากร พิทยชวาล มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี พ.ศ. 2557

วิธีการ และเงื่อนไขในการเตรียมเซรามิกส์ CaCu3Ti4O12 ต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการนำไปใช้เตรียมฟิล์มบางสำหรับผลิตหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่ม

วรวุฒิ มรรคเจริญ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2556