กำลังโหลดข้อมูล…
Search for a command to run...
กราฟีน ซึ่งเป็นอัญรูปสองมิติของคาร์บอน เป็นวัสดุที่มีศักยภาพในการนำไปประยุกต์ใช้งานในหลายๆด้าน ไม่ว่าจะเป็นทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าที่ความถี่สูง อิเล็กทรอนิกส์ที่โค้งงอได้ จอสัมผัส อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์กักเก็บพลังงาน และเทคโนโลยีที่สวมใส่ได้ แต่อย่างไรก็ตาม การนำกราฟีนไปประยุกต์ใช้งานจริงยังคงมีขีดจำกัดอยู่ เนื่องจากการนำกราฟีนไปสร้างเป็น device นั้นยังคงทำได้ยากและยังเป็นสิ่งที่ท้าทายอยู่มาก ทำให้ในปัจจุบันนั้น มีเพียงการนำกราฟีนไปใช้กับงานทางด้านทฤษฎีและการวิจัยในห้องปฏิบัติการเท่านั้น ในขณะที่กราฟีนที่มีลักษณะเป็นแผ่นต่อเนื่องเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการนำกราฟีนไปประยุกต์ใช้งานทางด้านไฟฟ้าและด้านแสง แต่ในขณะเดียวกันการประยุกต์ใช้งานทางด้านนี้นั้นล้วนต้องการกราฟีนที่อยู่บนฐานรองที่ปกติไม่ได้ใช้เป็นฐานรองในการสังเคราะห์กราฟีน จึงทำให้ต้องมีการถ่ายโอนกราฟีนจากฐานรองที่ใช้ในการสังเคราะห์มาเป็นฐานรองอื่น (เช่น ซิลิคอนเวเฟอร์ เป็นต้น) ด้วยเหตุดังกล่าว งานวิจัยนี้จึงได้ใช้เทคนิคการสะสมไอเชิงเคมี (chemical vapor deposition, CVD) ในการสังเคราะห์กราฟีนบนฟอยล์ทองแดง ร่วมกับเทคนิคการย้ายกราฟีนที่ใช้ poly(methyl methacrylate) (PMMA) เป็นตัวช่วย ในการย้ายกราฟีนจากฟอยล์ทองแดงไปยังฐานรอง Si/SiO2 โดยก่อนที่จะทำการย้ายกราฟีนนั้น ได้มีการย้าย hBN ที่สังเคราะห์ขึ้นด้วยเทคนิค CVD เช่นกัน มาไว้บนฐานรอง Si/SiO2 ก่อน โดยใช้เทคนิคการย้ายเดียวกัน เพื่อสร้างสภาพแวดล้อมที่เหมาะสมให้กับกราฟีน โดยพบว่า เทคนิคดังกล่าวสามารถสังเคราะห์กราฟีนที่มีลักษณะเป็นแผ่นต่อเนื่อง ที่มีขนาดพื้นที่ใหญ่ (ระดับ 1 ซม. X 1 ซม.) ได้ และกราฟีนที่สังเคราะห์ได้ยังมีข้อบกพร่องทางโครงสร้าง เช่น รอยย่น รอยแตก และช่องว่าง ที่น้อยมากนอกจากคุณสมบัติทางด้านอิเล็กทรอนิกส์ที่มีเอกลักษณ์แล้ว กราฟีนยังแสดงพฤติกรรมของพลาสมอนที่มีความถี่ระดับเทระเฮิรตซ์ที่อุณหภูมิห้องอีกด้วย โครงการวิจัยนี้จึงมีวัตถุประสงค์ที่จะนำคุณสมบัตินี้ของกราฟีนไปประยุกต์ใช้งานทางด้านการสื่อสารไร้สายด้วยคลื่นเทระเฮิรตซ์ โดยการสร้างโครงสร้างรีเฟล็กท์อาเรย์ (reflectarray) บนโครงสร้างไฮบริดของกราฟีน-โลหะ โดยโลหะในโครงสร้างนี้ทำหน้าที่เป็นพลาสมอนส่วนที่แอคทีฟ ส่วนกราฟีนทำหน้าที่ในการลดกำลังสะท้อน (reflected power) โดยการไปทำลายปรากฎการณ์ทางควอนตัมที่ถูกกักขังไว้ (confinement) ของอิเล็กตรอนในโลหะ เมื่อเปรียบเทียบค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนแสงของโครงสร้างไฮบริดของกราฟีน-โลหะกับค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนแสงของอาเรย์ที่เป็นโลหะอย่างเดียวแล้ว พบว่า ความแตกต่างนั้นมากพอที่ทำให้สามารถสรุปได้ว่าโครงสร้างที่สาธิตขึ้นนี้สามารถนำไปพัฒนาต่อยอดเทคโนโลยีเทระเฮิรตซ์ได้จริง
เป้าหมายเมื่อจบโครงการ: 5 — 5. Key elements demonstrated in relevant environments
เทคโนโลยีที่พัฒนาขึ้นนั้น ได้ผ่านการทดสอบด้านต่างๆ จากห้องปฏิบัติการในสถานการณ์จำลอง และชี้ให้เห็นว่าสิ่งที่ได้ทำการทดลองมีความใกล้เคียงหรือสอดคล้องกับเป้าหมายที่ตั้งไว้
เป็นขั้นเริ่มต้นของงานวิจัย โดยมีการศึกษาวิเคราะห์และการศึกษาทดลองเพื่อสนับสนุนแนวคิดและการประยุกต์ใช้หลักการ และมีผลงานตีพิมพ์เป็นข้อมูลสนับสนุน ซึ่งในผลงานตีพิมพ์ได้มีการทดสอบเพื่อวัดค่าพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องต่างๆ และเปรียบเทียบเพื่อวิเคราะห์คาดการณ์องค์ประกอบของแนวคิดที่มีความสำคัญ
เป้าหมายเมื่อจบโครงการ: 3 — 3. initial testing of proposed solution(s) together with relevant stakeholders
If successful, involvement of S-curve industries can be expected for initial testing of prototype THz plasmonic device based on graphene
We are currently in the phase of testing feasibility of the technology. This research work is expected to bring structural improvements that are needed.