รายงานฉบับสมบูรณ์Full textพ.ศ. 2552วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลักสุขุม อิสเสงี่ยม, กอบวุฒิ รุจิจนากุล, ทวี ตันฆศิริ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2552ดาวน์โหลดฉบับเต็มที่ NRIIS ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงการเตรียมและสมบัติของเซรามิกพิโซอิเล็กตริกไร้สารตะกั่ว ในระบบที่มีโซเดียมโปแตสเซียมไนโอเบต-ลิเทียมแทนทาเลตเป็นฐานพรสุดา บ่มไล่, มิลน์และอีก 3 มหาวิทยาลัยสงขลานครินทร์ พ.ศ. 2552Full textการสังเคราะห์และปรับปรุงสมบัติการเปล่งแสงของวัสดุประกอบออกไซด์เชิงซ้อนโครงสร้างสปิเนลซิงค์อลูมิเนต (ZnAl2O4) โดยการเจือไอออนของธาตุใน กลุ่มแลนทาไนด์วณิชยา เมฆประสาท สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2559Full textบริเวณรอยต่อเฟสของสารเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีโครงสร้างแบบเพอรอฟสไกด์นราธิป วิทยากร สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2554Full textการปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์อธิพงศ์ งามจารุโรจน์, รัตติกร ยิ้มนิรัญและอีก 1 คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ พ.ศ. 2553Full textDOI