บทความวิจัยพ.ศ. 2562The Characteristic of TMG adsorption on the Si(100)(2?1) surface in atomic layer deposition (ALD): Computational prediction of Si9H12O2GaCH3 structureปรเมษฐ์ จันทร์เพ็ง มหาวิทยาลัยมหาสารคาม พ.ศ. 2562 ติดต่อนักวิจัยแชร์ บันทึกเข้าสู่ระบบเพื่อบันทึกคำสำคัญAtomic layer deposition (ALD)Computational methodGallium oxideSi(100)(2?1)TMG adsorptionงานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียงAdsorption of MetalPhthalocyanine Molecule on Aluminum 100 Surface: The DFT Study มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ พ.ศ. 2561Adsorption of Metal-Phthalocyanine Molecule on Aluminum (100) Surface: The DFT Study มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ พ.ศ. 2561Thermogravimetric analysis (TGA) profile of modified SBA-15 at different amount of alkoxysilane group Universiti Teknologi MARA พ.ศ. 2557Effects of post-deposition annealing temperatures on the composition of interfacial layer at Germanium (GE) /aluminium oxide (Al2O3 พ.ศ. 2562