บทความวิจัยพ.ศ. 2562
The Characteristic of TMG adsorption on the Si(100)(2?1) surface in atomic layer deposition (ALD): Computational prediction of Si9H12O2GaCH3 structure
ปรเมษฐ์ จันทร์เพ็ง มหาวิทยาลัยมหาสารคาม พ.ศ. 2562
ชื่อผู้แต่งข้างต้นเป็นข้อความจากระเบียนผลงาน ไม่ได้ผูกกับรหัสนักวิจัย จึงกดดูผลงานอื่นของบุคคลนี้ไม่ได้ — ในคลังนี้ 142,080 ผลงาน (63.6% ของทั้งหมด) มีชื่อผู้แต่งที่เชื่อมกับหน้าผู้แต่งได้ และ 60,298 ผลงาน (27.0%) มีผู้แต่งที่ผูกกับรหัสนักวิจัยจริง ส่วนอีก 81,382 ผลงานไม่มีข้อมูลผู้แต่งเลย (มีชื่อผู้แต่งเป็นข้อความอยู่ 142,009 ผลงาน = 63.5%)
คำสำคัญ
Atomic layer deposition (ALD)Computational methodGallium oxideSi(100)(2?1)TMG adsorption