Command Palette

Search for a command to run...

กลับไปผลการค้นหา
บทความวิจัยพ.ศ. 2562

Impact of interface traps and parasitic capacitance on gate capacitance of In0.53 Ga0.47 As-FinFET for sub 14nm technology node

พ.ศ. 2562

คำสำคัญ

FinFETInGaAsInterface traps and parasitic capacitance

งานวิจัยในหัวข้อใกล้เคียง

Influence of gate material and process on junctionless FET subthreshold performance

พ.ศ. 2559

วรจรเชื่อมต่อสำหรับเซ็นเซอร์ ISFET ใช้กำลังงานต่ำ

อภินันท์ ธนชยานนท์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง พ.ศ. 2551

The effect of different dielectric materials in designing high performance Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors

พ.ศ. 2560

A soft error study on tri-gate based FinFET and junctionless-FinFET 6T SRAM cell - A comparison

พ.ศ. 2559

Effect of process parameter variation on ft in conventional and junctionless gate-all-around devices

พ.ศ. 2558

Effects of High-k Dielectric Materials on Electrical Performance of Double Gate and Gate-All-Around MOSFET

พ.ศ. 2563

Analysis of analog and RF behaviors in junctionless double gate vertical MOSFET

พ.ศ. 2563

Threshold voltage roll-off for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2562

Simulation-based study of capacitance values affected by various dielectric materials and distances for low power wireless power transfer system

พ.ศ. 2560

Threshold voltage roll-off by structural parameters for sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET

พ.ศ. 2561